如何计算沟道电阻？
一、如何计算沟道电阻？
传统计算接触电阻的方法为为转换长度测量法(transferlengthmeasurement，tlm)，其方法是量测多个不同沟道长度的薄膜晶体管，计算其总电阻，然后将其电阻与y轴的截距定义为2倍接触电阻，即可得到接触电阻，其局限性是需要在光罩上设计多组不同沟道长度的薄膜晶体管，并量测多组数据进行计算和拟合，在设计上和量测上较为繁琐，且由于拟合存在不确定性，所以无法准确计算接触电阻。
二、p沟道和n沟道差别？
N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。
扩展资料
区分：
1、首先，先判定MOS的`三个极，G极，中间的电极为G极，非常好认。S极，两根线相交的极就是S极。D极，而单独引线的就是D极
2、接着判断N沟道，由S极指向D极的为N沟道
3、接着判断P沟道，由D极指向S极为P沟道
4、从寄生二极管的方向判断，N沟道，是由S极指向D极；
从寄生二极管的方向判断， P沟道，是由D极指向S极；
5、以上就是判断的方法了，希望大家熟记，并掌握原理
三、N沟道和P沟道怎么判断？
N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。
1、首先，先判定MOS的三个极，G极，中间的电极为G极，非常好认。S极，两根线相交的极就是S极。D极，而单独引线的就是D极
2、接着判断N沟道，由S极指向D极的`为N沟道
3、接着判断P沟道，由D极指向S极为P沟道 4、从寄生二极管的方向判断，N沟道，是由S极指向D极；
从寄生二极管的方向判断， P沟道，是由D极指向S极；
5、以上就是判断的方法了，希望大家熟记，并掌握原理
四、p沟道和n沟道的区别？
1、首先，先判定MOS的`三个极，G极，中间的电极为G极，非常好认。S极，两根线相交的极就是S极。D极，而单独引线的就是D极
2、接着判断N沟道，由S极指向D极的为N沟道
3、接着判断P沟道，由D极指向S极为P沟道
4、从寄生二极管的方向判断，N沟道，是由S极指向D极；
从寄生二极管的方向判断， P沟道，是由D极指向S极；
5、以上就是判断的方法了，希望大家熟记，并掌握原理
五、长沟道和短沟道的区别？
长渠道是经过两道以上中间环节后到达消费者手中的渠道，分销渠道的长度取决于商品在整个流通过程中经过的流通环节或中间层次的多少，经过的流通环节或中间层次越多分销渠道就越长，反之分销渠道就比较短。
短渠道是指产品直接到达消费者或只经过一道中间环节的渠道。分销渠道的长度取决于商品在整个流通过程中经过的流通环节或中间层次的多少，经过的流通环节或中间层次越多分销渠道就越长，反之分销渠道就比较短。有产需直接见面和中间经过零售商等两种形式。
六、什么是n沟道和p沟道？
n沟道和p沟道是指场效应晶体管（FET）的两种主要类型。在n沟道FET中，电荷被输送的是负离子，因此沟道是用掺杂导电型为N型材料制成的。
而在p沟道FET中，电荷被输送的是正离子，因此沟道是用掺杂导电型为P型材料制成的。这两种沟道都有一个控制端和一个负载端。这两种不同类型的FET在电子学中有着不同的应用。
例如，n沟道FET通常用于特定的低噪声放大器中，而p沟道FET则更适用于高放大度的放大器和混频器中。同时，这两种FET也可以组合成复合型FET以实现更广泛的用途。总的来说，n沟道和p沟道的重要性在于它们提供了电子学中可控制的电阻，可以被用于电路设计中的放大，调制和开关等应用。
七、P沟道与N沟道mos管区别？
1、芯片材质不同
虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道；P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。具体原理可以参考一些教科书，属于工艺方面的问题。
2、同等参数P沟道MOS管价格更高
（1）N沟道MOS管芯片成本低于P沟道。
N沟道MOS管通过电子形成电流沟道，当MOS管被激活和导通时，电子通过电流移动，速度较P沟道MOS管速度快。在相同的RDS(on)情况下，载流子的迁移率约为P沟道MOS管的2到3倍，而要实现相同的电流，P沟道芯片尺寸就要设计成N沟道MOS管的2到3倍大。因此从制造成本上，N沟道MOS管就要低于P沟道MOS管。因此，大电流应用通常首选N沟道的MOS管。
例如，快捷芯的N沟道MOS管，KJ400N03D7，采用TO263-7封装，实现业内最低内阻，RDS(ON)仅0.28mΩ，但可实现ID=400A的大电流。
（2）量产规模上N沟道成本更低。
由于N沟道MOS管的优势，使得它作为首选，能够大规模产出和应用，大规模量产后产品的价格更具优势。
（3）价格竞争更激烈。
N沟道MOS管型号参数，发展比较充分，各家品牌竞争激烈，价格也更透明。
（4）P沟道存在的意义
既生N何生P？P沟道MOS管为何还存在？
P沟道MOS管是用空穴流作为载流子，其迁移率小于N沟道MOS管中的电子流。P沟道MOS管需要从栅极到源极的负电压(VGS)才能导通，而N沟道MOS管则需要正VGS电压。使得P沟道MOS管成为高边开关的理想器件。有助简化电路设计、减少体积，实现低压驱动。由于它能够简化栅极驱动技术，在一些使用场景中，对于整体成本而言，反而起到降低成本的效果。
所有P沟道产品虽贵，但能简化电路设计，有益于实现功能且整体降低成本。
3、应用不同
N管:当一个MOS管接地，负载连接到干线电压上时，这个MOS管就构成低压侧开关。这时就要采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
P管:当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。这就要采用P沟道MOS管，这是考虑到电压驱动的原因。
4、使用时识别标示不同
实际应用时，MOS管包括：N管、P管、双N管、双P管、N+P管。
识别方法包括：
（1）型号末尾数字奇偶不同。型号末尾数字，一般奇数是P管，偶数是N管，例如常见的2300为N管，2301为P管，4406为N管，4407为P管。
（2）规格书的标题，一般有写N-Channel、P-Channel等。
（3）电气符号的箭头方向不同，N管箭头指向栅极，P管相反，如果有多个栅极数量则需要注意看每个箭头的方向。
（4）规格书的VDS正负不同，正数为N或双N，负数为P或双P，一正一负为N+P
深圳市快节奏科技有限公司旗下自主品牌——快捷芯，产品特色：超低内阻、强大电流、一致可靠、性价比高，欢迎选用。
八、N沟道、P沟道MOS管的区别？
1、芯片材质不同
虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道；P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。具体原理可以参考一些教科书，属于工艺方面的问题。
2、同等参数P沟道MOS管价格更高
（1）N沟道MOS管芯片成本低于P沟道。
N沟道MOS管通过电子形成电流沟道，当MOS管被激活和导通时，电子通过电流移动，速度较P沟道MOS管速度快。在相同的RDS(on)情况下，载流子的迁移率约为P沟道MOS管的2到3倍，而要实现相同的电流，P沟道芯片尺寸就要设计成N沟道MOS管的2到3倍大。因此从制造成本上，N沟道MOS管就要低于P沟道MOS管。因此，大电流应用通常首选N沟道的MOS管。
例如，快捷芯的N沟道MOS管，KJ400N03D7，采用TO263-7封装，实现业内最低内阻，RDS(ON)仅0.28mΩ，但可实现ID=400A的大电流。
（2）量产规模上N沟道成本更低。
由于N沟道MOS管的优势，使得它作为首选，能够大规模产出和应用，大规模量产后产品的价格更具优势。
（3）价格竞争更激烈。
N沟道MOS管型号参数，发展比较充分，各家品牌竞争激烈，价格也更透明。
（4）P沟道存在的意义
既生N何生P？P沟道MOS管为何还存在？
P沟道MOS管是用空穴流作为载流子，其迁移率小于N沟道MOS管中的电子流。P沟道MOS管需要从栅极到源极的负电压(VGS)才能导通，而N沟道MOS管则需要正VGS电压。使得P沟道MOS管成为高边开关的理想器件。有助简化电路设计、减少体积，实现低压驱动。由于它能够简化栅极驱动技术，在一些使用场景中，对于整体成本而言，反而起到降低成本的效果。
所有P沟道产品虽贵，但能简化电路设计，有益于实现功能且整体降低成本。
3、应用不同
N管:当一个MOS管接地，负载连接到干线电压上时，这个MOS管就构成低压侧开关。这时就要采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
P管:当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。这就要采用P沟道MOS管，这是考虑到电压驱动的原因。
4、使用时识别标示不同
实际应用时，MOS管包括：N管、P管、双N管、双P管、N+P管。
识别方法包括：
（1）型号末尾数字奇偶不同。型号末尾数字，一般奇数是P管，偶数是N管，例如常见的2300为N管，2301为P管，4406为N管，4407为P管。
（2）规格书的标题，一般有写N-Channel、P-Channel等。
（3）电气符号的箭头方向不同，N管箭头指向栅极，P管相反，如果有多个栅极数量则需要注意看每个箭头的方向。
（4）规格书的VDS正负不同，正数为N或双N，负数为P或双P，一正一负为N+P
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九、p沟道和n沟道可以替代吗？
p沟道和n沟道可以替代。
场效应管分为N沟道与P沟道，工作原理不同。内部结构又分为结型与绝缘栅型，电路设计不同。而每一种型号的场效应管又有具体的参数，以适应不同的电路需要。因此同型号以外不能直接代换。
十、N沟道特性？
NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
n沟道mos管的导通特性
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
