N沟道增强型场效应管的开启电压？

一、N沟道增强型场效应管的开启电压？

NMOS增强型，ugs(th)一般是正数，最常见的是在2-4V之间，正常导通时的UGS一定大于Ugs(th)，因此也一定是一个正数。电压在范围内一般就导通，电压值不够不导通。

开启电压就是阈值电压，使得源极和漏极之间开始形成导电沟道所需的栅极电压，MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

二、增强型NMOS管，如果在GD两端加正电压，MOS管会导通吗？

mosfet的是个对称的四端器件，sd是没区别的，所以电压给对就是可能导通的。

但一般情况下bs可能接在一起，就没有那么对称了，不过这样的影响是，当sd间加正电压时，bd间的pn结会导通。但这是因为b的电位随s变化导致的，不是sd搞反了导致的。

三、PMOS管的控制端没有电压，为什么还能导通？

要解释你的问题，首先要了解MOS管的工作原理。MOS管与一般晶体三极管是不同的。它是电压控制元件，它是栅极电压控制的是S-D极间的体电阻。在栅极施加不同的电压，源-漏极之间就会有电阻的变化，这就是MOS管的工作原理。栅极电压对应在器件S-D极的电阻变化曲线可以查器件手册。

根据MOS管的这个特性，既可以选择将MOS管作放大器工作，也可以选择作为开关工作。根据以上原理分析，在你的问题中，如果要使MOS管作在开关状态，就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。

你在栅极施加的电压只有5V（对于单管而言我认为栅极电压低了，一般应该在12V左右比较好），这个电压下MOS管的夹断电阻依然比较大，所以输出只有8V。

四、nmos和pmos的导通电压？

NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS（ON）非常小，在导通时D与S电压几乎一样；“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压，这是N沟道MOS管导通的必要条件。

NMOS导通需要gs有一个正压，导通时，必须通过自举电容来获取gs的正压，pmos导通gs需要一个负压，即G端电压要小于s端电压，这样ic实现起来就很方便了，不用之举电容。

但是pmos没有nmos流行的原因是，pmos导通压降大，效率低，Pmos的同态电阻比NMOS大，输入电压低，而且还有成本问题，所以开关电源主开关管很少用PMOS导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况（高端驱动）。

但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

五、pmos的寄生二极管

在集成电路设计中，寄生二极管是一个常见的概念。对于PMOS晶体管而言，寄生二极管是一个重要的特性，对电路性能和可靠性产生影响。

首先，让我们了解一下PMOS晶体管的基本结构。PMOS晶体管是一种三端器件，由源极、漏极和栅极组成。在PMOS晶体管中，寄生二极管是通过漏极和栅极之间的PN结实现的。

寄生二极管的特性

PMOS晶体管的寄生二极管具有以下特性：

• 正向偏置下，寄生二极管会导致漏电流。这会在电路中引入额外的功耗和热量。
• 反向偏置下，寄生二极管会形成一个容易导通的路径，从而影响电路的性能。
• 寄生二极管的电容会影响开关速度和响应时间。

减小寄生二极管的影响

为了减小PMOS晶体管的寄生二极管对电路性能的影响，可以采取以下一些方法：

• 优化布局和布线，减小寄生二极管的面积和长度。
• 通过改变掺杂和工艺参数，调整寄生二极管的特性。
• 在电路设计中使用补偿电路来抵消寄生二极管效应。

总之，了解和处理PMOS晶体管的寄生二极管是集成电路设计中的重要任务。通过优化设计和采取适当的措施，可以减小寄生二极管对电路性能的不利影响，提高集成电路的可靠性和性能。

六、mos管的开启电压是哪个？

是的，G极的电压需要2-4V之间。 MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。 在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。

七、关于mos管的开启电压问题？

开启电压是指MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏，导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20V。

八、mos管栅极开启电压多少？

mos管栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3.3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。

那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。

MOS管驱动方法 MOS管是电压驱动型的器件,和三极管是不同的,只有栅极(G)电压大于门极开启电压(Vgs)才可以导通

九、mos管的开启电压对应的电流？

MOS管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。

沟道开通后，理论上说不需要栅极维持电流，但实际上由于栅极有漏电流存在，往往需要保持一个稳态的栅源电压，但这个漏电流通常uA级，与BJT三极管的mA级相距甚远。

十、pmos管导通和截止的条件？

PMOS管的导通和截止取决于栅极和源极之间的电压关系。当栅极相对于源极的电压低于阈值电压（通常为负值）时，PMOS管导通，电流流过。当栅极电压高于阈值电压时，PMOS管截止，电流不再流动。

这是因为当栅极电压低于阈值时，沟道被吸引到栅极，形成导通通道，从而允许电流流动。

而当栅极电压高于阈值时，沟道被堵塞，导致截止。

因此，PMOS管的导通和截止取决于栅极和源极之间的电压关系，这种特性使得PMOS管在数字集成电路中起着重要的作用。