pn结外加反向电压时处于导通状态？

一、pn结外加反向电压时处于导通状态？

pn结外加反向电压时，处于截止状态。

pn结外加反向电压是指电源的负极与p端连接，正极与n端连接，这样，外电场与内建电场方向一致，即加强了内建电场，加强了对载流子的漂移作用，更不利于载流子的扩散，因此，pn结内几乎没有电流存在，所以，pn结外加反向电压时，处于截止状态。

二、pn结加反向电压时的电流称为什么？

称为反向饱和电流。pn结加反向电压时，外部电场的方向与内部电场的方向一致，pn结变厚，内部电场对半导体多子的扩散运动抑制加强，但对少子的漂移运动助力提高，pn结在内部电场和外部电场的双重作用下，按道理讲反向电流会随着外部电场的加强而增加，但实际上由于少子的数量太少了，所以反向电流不再增加，故称饱和。

三、pn结导通后参与导电的是什么？

pn结加上正向偏置电压后，外电场与内建电场方向相反，削弱了内建电场，此时，扩散与漂移的动态平衡被打破，扩散得到加强，p区的空穴向n区扩散，n区的自由电子向p区扩散，在pn结中形成从p→n的导通电流。因此，pn结导通后参与导电的是空穴和自由电子。

四、pn结加反向电流时的电流称为？

加正向电压时，是多数载流子。加反向电压时，是少数载流子，称为反向电流。

这时通过PN结的电流,主要是少子形成的漂移电流,称为反向电流IR。由于在常温下,少数载流子的数量不多,故反向电流很小。PN结反向偏置时，PN结变宽；多子的扩散运动减弱，少子漂移运动加强;PN呈截止状态。

五、PN结加反向电压引起反向电流增大的主要原因是什么？

降压缩肛是谣言

本于敬业精神，我上网了解了主张降压缩肛的网友理由，大多数人的解释是P=U×I，在功耗不变的前提下，电压降低电流就要增大。

但他们忽略了降压同时会降低功耗，并增加半导体电阻。半导体伏安特性曲线电压和电流正相关，降压的同时电流也会降低。这意味着降压会降低电迁移率，这反而能够降低缩肛风险

。

电迁移是引起所谓缩肛的原因

：由于传输电流的电子将动量转移，与PN结碰撞会引起PN结在半导体中发生位移。在大电流密度的情况下，电子不断对PN结进行冲击，冲击力超过了PN结之间的排斥力，就会使PN结逐渐移动而造成半导体自身的不断损耗。在半导体中，当过多的PN结被冲击脱离原来的位置，在相应的位置就会产生坑洼和空洞。轻则造成某部分导线变细变薄而电阻增大，严重的会引起断路。而在导线的另一些部分则会产生PN结堆积，形成一些小丘，如果堆积过多会造成导线于相邻导线之间发生连接，引起短路。不论集成电路内部断路还是短路，其后果都是灾难性的。电迁移或许是集成电路中最广泛研究的失效机制问题之一。

过度降压唯一的缺点是容易出错

，如果电位波动到低于逻辑门电路电平传感的阈值，则会使本来是1的数值变为0，因而有可能导致死机、重启、蓝屏等错误。

所以我怀疑所谓降压缩肛是人云亦云的谣言

。软硬件由于变量太多，很可能第一个所谓“降压缩肛”的案例是由于其他问题引起的。例如供电老化，硅脂风干，粉尘堆积，也可能是由于电源选项、ThrottleStop锁频，驱动问题等软件原因。

普通睿频不超频的情况下大可以放心降压

。

六、pn结反向击穿电压有哪几种类型，温度是怎么影响的？

二极管击穿有两种方式

一种是zener breakdown 也就是齐纳击穿 。这种发生在高浓度的pn结中 ，虽然载流子很难碰撞到束缚的价电子 ，但是随着电压不断升高电场强度增大 。总有一个场强会使共价键破裂形成电子空穴对 ，从而击穿 。当温度升高价电子挣脱束缚的能力越强 ，挣脱后能量更高移动更快 ，自然这样的击穿电压会减小。

另一种是avalanche breakdown也就是雪崩击穿 ，这种发生在低浓度的pn结中， 随着反向电压升高 ，载流子在不断加强的电场中会以足够的动能碰撞束缚的价电子 ，实现电子空穴对。 自由移动的电子继续碰撞其他的产生更多的电子空穴对 ，这种一推二 ，二推四的效应类似雪崩一样 ，所以名字由此得来 。试想温度升高 ，晶格散射加强 ，电子迁移率下降， 所以平均自由程变短 ，更高的温度下碰撞能量更小 。因此温度越高击穿电压越高， 两种不一样的击穿方式得到的温度和电压关系也就完全不一样了。

七、最大反向电流是指二极管加上最大反向工作电压时的反向电流？

不对,反向电流是指二极管加上低于最大反向工作电压时的漏电流,同一个管子的这个电流与所加的反向电压的高低关系不大,通常是在正常工作电压下测得的,对于同一个类型或型号的管子,反向电流越大说明性能越差,容易发热和损坏.

八、为什么PN结的正向导通时的电阻是很小的？

二极管具有单向导电性，所以正向，可以认为是小电阻或者说是无电阻，反向是超大电阻。。

原理是因为二极管是有两种性质不同的半导体，拼结而成的，怎么说呢，一种半导体，含有很多允许自由电子通过的空穴，但自己却含有很少的自由电子叫P型半导体，而另一种则是还有较多自由电子，但却因此缺乏容纳电子的空穴叫N型半导体。。。如果正向加电压，电子从N向P移动，这样因为N有大量自由电子，P有大量允许电子通过的空穴空穴，这样电子很顺利的就过去了，电阻小，而反接就不一样了，由于流动的不顺畅，在拼接处，P的电子堆积，而N的拼接处电子流失，导致产生了一个和电源相反的电动势，平衡后就不会在产生电流了，不过电压足够大，这个平衡会被击穿的。。。。

九、二极管的核心是两个pn结是对是错？

二极管的核心是两个pn结这句话是错的，二极管应该核心是一个pn结。

十、Vd整流二极管在电路中反向时输入电压是负的,那输出电压是正还是负的？

这个要看参考点电位是正还是负，如果是通常的负极接地，那么输入反向的电压经过Vd整流二极管后，输出脉动直流电的就是正，反之则是负；总而言之整流二极管的作用就是将方向变化的交流电整变为同向输出的脉动电。