8050是怎么导通的？

一、8050是怎么导通的？

8050三极管的导通条件:三极管的导通条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压.发射结加正向电压,就是基极和发射极之间所加电压Ube,是按箭头的指向加PN结的电压,即硅管加0.7V;锗管加0.2V.集电结加反向电压,就是在集电结的PN结上加反压Ube才能把基区的电荷吸引过来

二、8050的导通电压是多少？

答：8050的导通电压是0.7伏。三极管8050是硅材科的NPN三极管，是一种小功率的高频三极管。8050三极管通常与8550三极管配对使用，组成一对小电流电压推挽放大电路，在一般的小信号放大电路中，8050的应用非常广泛。

三、8050做开关低电平导通吗？

输入信号直接接到8050的基极，没有任何偏置，所以可以认为，输入信号很可能是一个开关信号，也就是高电平或低电平

当输入信号为高电平（高于0.6V时），8050导通，VDD通过8050的C、E极流到IC的IN脚，从而IC得到电源，这时从电路形态看来，这个IC是个振荡器之类的波形产生器，只要IN脚有电源，IC就开始工作，从OUT脚输出方波或是正弦波信号，此信号通过C1，R7再与R8进行分压。

当R8上的信号电压高于0.6V时，9014导通，同时使1015饱合导通（看起来此处似乎有些问题，1015的C、E极对调似乎更合理些），VDD通过L1和L2的电感（主要功能是阻止高频交流信号通过）加到喇叭LS上，并通过1015接到GND，

因为电路工作时，1015的通断是受IC输出的信号控制，1015是一直处于通、断状态，所以LS也是由此产生通和断的声音，达到了报警的目的

四、MC8050基极电流多大才能导通？

基极只要有电流三极管就会导通。 导通有两种，一种是放大状态，一种是饱和状态。你没说是哪种状态。

五、电压如何测导通？

首先上电测量，交流测220v,直流测本身电压24v12v5v3.3v如果用数字万用表档位是交流档400v，直流档按需要拨档，如果测的的电压为0说明断开，有值说明导通。

六、8050三极管的导通电压？

开启电压：0.7V。

最大集电极-发射极电压（VCEO）：25

特征频率：150 MHz

PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W

3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz

CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

判定三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，用手捏住基极和假定集电极（假定剩下的两极任意一个为集电极、一个为发射极），黑表笔接触假定集电极，红表笔接触假定发射极指针有较大偏转则假定正确，反正错误

七、导通压降和导通电压？

1.

导通压降:二极管开始导通时对应的电压。 正向特性:在二极管外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。

2.

反向特性:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后,二极管反向击穿。

八、晶闸管导通时正向电压和反向电压？

每个晶闸管承受的反向电压是线电压(课本有u vt的波形图)因给出的一般是变压器二次侧相电压U2,故先转换成线电压 即√3U2,再转换成线电压峰值 即√2×√3U2。

在三相桥电阻负载时,由于电流断续,晶闸管会关断,这时最大正向电压为根号二的相电压,最大反向电压为根号6的相电压,在阻感负载时,电流一定连续,所以最大正反向电压都是根号6相电压。

九、达到电压自动导通的电路？

这类电路很多，现举几个例子如下:

1、稳压二极管

由稳压二极管组成直流稳压电路，当电压达到稳压二极管的反向击穿电压，稳压二极管就导通。

2、日光灯电路

日光灯管导通需400V电压，可用倍压整流，使灯管两端电升高到400V以上，灯管导通发光。

3、液位控制电路

用浮漂控制滑动电位器，控制加到晶体管基极电压，当电压达到晶体管导电压时导通，控制继电器接通泵站加液。

十、pn结导通死区电压原因？

是这样的,所谓死区电压:

由于PN结内部有自建电场,电子和空穴的漂移作用,其内部本身就具有一定的电能,也就是说它的内部本身带有电荷,我们利用它的单向导电性,其实就是给PN结加上外部电压,破坏了它内部自建电场的平衡,当然!这需要达到一定的电压值,至少要高于PN结内部的自建电场。

也由于二极管内部的材料是半导体，它对电压有一定的阻力。

电压过低，则无法破坏PN结内部的自建场，所以不同材料的管子，也就有不同的死区电压。

常用的硅管PN结死区电压为0.7-0.8V，锗管为0.1-0.3V