什么是阈值电压和关闭电压？

一、什么是阈值电压和关闭电压？

阈值电压 (Threshold voltage):通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。

截止电压就是终止电压，是指电池放电时，电压下降到电池不宜再继续放电的最低工作电压值。不同的电池类型及不同的放电条件，终止电压不同。

二、阈值电压的求法？

阈值电压的计算

根据JEDEC STANDARD JESD-28的规定计算方法(JEDEC 14.2.2 –Hot Carrier Working Group --- June 15,1995)，有两种计算阈值电压的方法: 方法A易于操作，在早期的阈值电压测试中常用，随着工艺的先进，这种方法不够准确，方法B逐渐开始采用，但实际上JEDEC定义的不够准确，它是把VDS忽略掉了。 正确的计算方法是，根据线性区的电流方程: 我用Hspice仿真的方法，用A、B两种方法计算了某0.18um工艺中NMOS的阈值电压，取VDS=0.1V。 下面是计算结果:

W=1u， L=1u. 方法A:在波形图上测量到ID=0.1uA时，VGS=0.356V，那么VT(ci)=0.356V;ID=1uA时，VGS=0.467V 方法B.:在波形图上测量到gm(max)=29.6u，此时VGS约为0.675~0.679V，就取。

W=10u， L=1u. 方法A:在波形图上测量到ID=1uA时，VGS=0.361V，那么VT(ci)=0.361V;ID=10uA时，VGS=0.471V; 方法B.:在波形图上测量到gm(max)=311.4u，此时VGS=0.683V，此时ID=68.11uA，代入公式(3)，得到VT(ext)=0.414V。

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三、测阈值电压的方法？

阈值电压 ：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。举例说明：如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态，此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一；如描述场发射的特性时，电流打到10mA时的电压被称为阈值电压。

四、mos管为什么有阈值电压？

阈值电压（Threshold voltage）

通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。

MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。

五、为什么温度增加阈值电压减少？

对于发电机来说，一般都是迟相运行，它的负载也一般是阻性和感性负载。当发电机升压并网后，定子绕组流过电流，此电流是感性电流，感性电流在发电机内部的电枢反应作用比较大，它对转子磁场起削弱作用，从而引起端电压下降。当流过的只是有功电流时，也有相同作用，只是影响比较小。这是因为定子绕组流过电流时产生磁场，这个磁场的一半对转子磁场起助磁作用，而另一半起去磁作用，由于转子磁场的饱和性，助磁一方总是弱于去磁一方。因此，磁场会有所减弱，导致端电压有所下降。

六、阈值电压偏大的原因？

阀电压（门限电压）VTH，功率MOSFET的阈值电压，也有些工程师称之为门坎电压，就是功率MOSFET的导通电压。

1、供电所由于检修或其它原因造成你的入户线没有中性线(零线)，这种状况你用验电笔测一下就知道。

2、变压器输出端的中性接地线断(或者接地不良)，由于三相不可能绝对平衡供电，这样就造成部分用电户的电压严重超高，会烧坏部分电器。

七、栅源极阈值电压？

应该是漏极电压和栅极电压，就是场效应管其中漏极和栅极的电压

八、ttl与非门的阈值电压是什么？

TTL，电源电压+5V，阈值电压1.4V，输入低电平的上限0.8V，输入高电平的下限2.0V。

或非门：Y = (A + B)' ，只要有一个输入是 1 ，输出就为 0 ；输入全为 0 ，输出才为 1 。 TTL 器件：输出高电平 ≥ 2.7V，典型值 3.6V，输出低电平 ≤ 0.4 V ；输入高电平 ＞ 2V，输入低电平＜ 0.8 V 。 CMOS 器件电源电压较宽，有的可达12V，高电平接近 Vcc 值 ，低电平 0V ~ 0.3 * Vcc 。

开门电平和关门电平基本上是相等的，对应曲线的斜率最大的地方的输入电平值，约为电源正电位的二分之一。

九、阈值电压计算公式？

阈值电压的计算公式可以根据不同的设备类型和条件进行调整。在NMOS场效应晶体管中，阈值电压的表达式为：

\[ VT = VFB + Vox + \phi_s ]

其中，VT代表阈值电压，VFB是半导体平带电压，Vox则是栅氧化层上的压降，而ϕ_s是饱和迁移率。

然而，对于更为复杂的设备或情况，阈值电压的公式可能会包含更多的参数。例如，一个更完整的NMOS阈值电压公式可能包括产生电子反型层的电荷（Q_SD）在栅氧化层上引起的电压降。此外，阈值电压也可能取决于特定的器件特性，如场发射特性时，电流达到10mA时的电压就被称为阈值电压。

十、电压比较器阈值电压什么意思？

阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。

在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。

如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。