nmos和pmos区别？

一、nmos和pmos区别？

NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。

PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。

两者区别：

1、导通特性

　　NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

　　2.MOS开关管损失

　　不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

　　3.MOS管驱动

　　跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

二、pmos和nmos区别？

区别就是两者意思是不一样具体的不同如下

pmos中文意思是项目管理办公室

abbr.

载人永久轨道（航天）站(Permanent Manned Orbital Station);正信道金属氧化物半导体;主要军职专业(Primary Military Occupational Specialty);

例句

Some PMOs, however, do coordinate and manage related projects.

但是，有些项目管理办公室的确协调和管理互相联系的项目。

nmos中文意思是

金属氧化物半导体;沟道金属氧化物半导体;场效应管;N型金氧半导体;增强型N沟道场效应管;

例句

This paper discusses the design method of E/ D NMOS high stability voltage reference.

本文讨论E/D NMOS高稳定度基准电压源的设计方法。

三、nmos和pmos的导通电压？

NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS（ON）非常小，在导通时D与S电压几乎一样；“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压，这是N沟道MOS管导通的必要条件。

NMOS导通需要gs有一个正压，导通时，必须通过自举电容来获取gs的正压，pmos导通gs需要一个负压，即G端电压要小于s端电压，这样ic实现起来就很方便了，不用之举电容。

但是pmos没有nmos流行的原因是，pmos导通压降大，效率低，Pmos的同态电阻比NMOS大，输入电压低，而且还有成本问题，所以开关电源主开关管很少用PMOS导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况（高端驱动）。

但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

四、nmos和pmos控制led亮灭？

用单片机的输出口连接MOS管的控制极，MOS管与发光二极管串联后接到电源。用程序使单片机输出口的相应位置0或置1，即可控制发光二极管的亮灭。

五、nmos和pmos晶体管的阈值电压分别是多少？估计值？

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos0.7vpmos负0.8，过驱动电压为Vgs减Vth

六、pmos和nmos的尺寸比为什么是2比1？

由于mobility不一样，同样大小的Pmos和Nmos，Pmos驱动能力要弱。所以在反向器中，通常把Pmos做成2～3倍于Nmos的大小，这样P/N驱动能力相同，方向器转折电压大概为VDD/2.这个也跟通道的长度有关，微米工艺和纳米工艺也不太一样。

七、画IC版图的时候怎么区分是pmos还是nmos啊？

可以通过控制端接法、漏极和源极接法以及输出极判断。

1.控制端接法：当控制端接高电平时，NMOS管导通，PMOS管截止；当控制端接低电平时，NMOS管截止，PMOS管导通。

因此可以通过控制端接法来区分这两个器件。

2.漏极和源极接法：NMOS管的漏极是负极性，源极是正极性；PMOS管的漏极是正极性，源极是负极性。

因此可以通过漏极和源极接法来区分这两个器件。

3.输出极：NMOS管输出高电平时，源级为GND；输出低电平时，源级为VDD；PMOS管输出高电平时，源级为VDD；输出低电平时，源级为GND。

因此可以通过输出极判断这两个器件。

八、在集成电路设计中nmos和pmos的宽长比是怎么确定的？

由于mobility不一样，同样大小的Pmos和Nmos，Pmos驱动能力要弱。所以在反向器中，通常把Pmos做成2～3倍于Nmos的大小，这样P/N驱动能力相同，方向器转折电压大概为VDD/2.这个也跟通道的长度有关，微米工艺和纳米工艺也不太一样。

九、推荐一下常用的PMOS管和NMOS管，流过的电流不需要很大1A够了？

因为你没有说明电压要求。

NMOS：IRFR1H60，IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A 都是 1A 。600V； PMOS : IRF9610S, SiHF9610S ：iID:-1.8A；IRFL9110, SiHFL9110 ：1A； 以上均为最常用的N沟道和P沟道MOS管。

十、pmos管导通和截止的条件？

PMOS管的导通和截止取决于栅极和源极之间的电压关系。当栅极相对于源极的电压低于阈值电压（通常为负值）时，PMOS管导通，电流流过。当栅极电压高于阈值电压时，PMOS管截止，电流不再流动。

这是因为当栅极电压低于阈值时，沟道被吸引到栅极，形成导通通道，从而允许电流流动。

而当栅极电压高于阈值时，沟道被堵塞，导致截止。

因此，PMOS管的导通和截止取决于栅极和源极之间的电压关系，这种特性使得PMOS管在数字集成电路中起着重要的作用。