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晶振电容位置?

电容 2024-08-25 15:12

一、晶振电容位置?

电容应尽量靠近晶振引脚(频率输入脚与频率输出脚)设计。

晶振核心部件为石英晶体,容易受外力撞击或跌落影响而破碎。在PCB布线时最好不要把晶振设计在PCB边缘,尽量使其靠近芯片。

晶振走线需要用GND保护稳妥,远离敏感信号源,如RF及高速信号,以免频率信号受到干扰。

晶振位置远离热力源,高温会造成晶振频率偏差,因为石英晶体具有“温漂”物理特性。

二、负载电容要怎么与晶振搭配?

负载电容与晶振的搭配是指在电子电路中,为了确保晶振的稳定性和正常工作,需要适当选择和连接负载电容。以下是一般情况下负载电容与晶振搭配的一些注意事项:

确定晶振的负载电容范围:根据晶振的规格和厂家提供的参数,确定晶振所需的负载电容范围。通常,晶振的数据手册中会给出推荐的负载电容值或范围。

考虑晶振的频率和模式:不同频率和模式的晶振对负载电容的要求有所不同。根据晶振的频率和模式(串/并振荡),选择合适的负载电容。

计算负载电容的数值:根据晶振的负载电容范围和具体的应用需求,进行计算或选择合适的负载电容数值。可以参考晶振的数据手册、应用笔记或厂家推荐。

连接负载电容:将计算或选择好的负载电容连接到晶振的引脚上。通常,负载电容连接在晶振的两个引脚之间,以提供稳定的负载。

调试和测试:在连接好负载电容后,进行调试和测试,以确保晶振正常工作。可以通过观察输出波形、频率计等工具来验证晶振的稳定性和准确性。

需要注意的是,不同的晶振和应用场景可能有特定的要求和建议,因此在具体设计和应用中,建议参考晶振的规格和厂家提供的指导,以确保负载电容与晶振的搭配符合要求,并满足系统的稳定性和性能要求。

三、电容和晶振的区别?

电容是指在给定电位差下的电荷储藏量。

晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作,以提供稳定,精确的单频振荡。

电容亦称作“电容量”,是指在给定电位差下的电荷储藏量,记为C,国际单位是法(F)。一般来说,电荷在电场中会受力而移动,当导体之间有了介质,则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上,造成电荷的累积储存,储存的电荷量则称为电容。

晶振是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振。

四、晶振和电容哪个好?

晶振和电容都好,晶振可以振荡,电容可以储能。

五、晶振负载电容选多少?

负载电容的大小不是固定的,需要晶振的规格要求而定,晶振的规格书都标有负载电容的要求,一定要看清楚规格书,选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF,晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了

选择负载电容的要注意事项:

选择NPO/G0G材质,温度和高频特性更好

公差当然是尽量选择小的,最好选择2%或者1%的。

六、晶振怎么配电容呢?

晶振配电容芯片晶振引脚的内部通常是一个反相器,芯片晶振的两个引脚之间还需要连接一个电阻,使反相器在振荡初始时处与线性状态,但这个电阻一般集成在芯片的内部,反相器就好像一个有很大增益的放大器,为了方便起振,晶振连接在芯片晶振引脚的输入和输出之间,等效为一个并联谐振回路, 振荡的频率就是石英晶振的并联谐振频率。

晶振旁边的两个电容需要接地,,其实就是电容三点式电路的分压电容,接地点就是分压点,以分压点为参考点,振荡引脚的输入和输出是反相的,但从晶振两端来看,形成一个正反馈来保证电路能够持续振荡。

七、晶振电容大小选取规则?

负载电容的大小不是固定的,需要晶振的规格要求而定,晶振的规格书都标有负载电容的要求,一定要看清楚规格书,选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF,晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了

选择负载电容的要注意事项:

选择NPO/G0G材质,温度和高频特性更好

公差当然是尽量选择小的,最好选择2%或者1%的。

八、8mhz晶振的起振电容?

8M匹配的负载电容可以有9PF,12PF,16PF,20PF,如果是外接电容那么至少要大一倍。

8MHz=8*10^3KHz=8*10^6Hz,即8百万Hz。

晶振,即所谓石英晶体谐振器和石英晶体振荡器的统称,它是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片),石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振;而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

九、晶振的负载电容怎么计算?

振电容的选取和计算。一般来说 对于晶振旁边的电容 我们没有具体去选取 而是用啥片子 它总有个理论的电容匹配值 我们就用那个了。其中负载电容CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容,Cg和Cd为我们外部加的两个电容。

通常我们都是选取两个相同的电容值,它们并联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容CL.因此在实际使用过程中,我们焊接好电路后,最好测一下晶振的实际频率,如果与相差的比较远,可以通过微调外部匹配电容来使得实际频率达到我们需要的

十、26000的晶振配多大电容?

答:26000的晶振配多大电容:

这要根据晶振的规格和电路中的因素来确定,

同是16MHZ的晶体谐振器,其负载电容值有可能不一样,如10PF,20PF.....

负载电容值是在其生产加工过程中确定的,无法进行改变.

购买晶振时应该能得到准确的规格书.

晶振在电路中使用时,应满足CL=C+CS. CL为规格书中晶振的负载电容值, C为电路中外接的电容值(一般由两颗电容通过串并联关系得到), CS为电路的分布电容,这和电路的设计,元器件分布等因素有关,

值不确定,一般为3到5PF.

所以根据以上公式就可以大概推算出应该使用的电容值,而且这一电容值可以使晶振工作在其标称频率附近.