mos管电阻随温度的变化？
一、mos管电阻随温度的变化？
MOS管电流随温度而下降。
处于饱和区的时候，mos管的沟道电阻为正温度系数，温度越高电阻越大，所以MOS管电流随温度下降。
MOS管一般指PMOS。PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。
二、mos管导通后各极电压？
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
MOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：
VGS
|VGS|>|VTP (PMOS)|
值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。
三、MOS管如何直接看电阻？
怎么测量mos管内阻
1：给mos管gs两端加上10V电压，导通mos管。
2：给mos管DS通过1A电流，可使用带限流的电源，把限流调到1a，电压调到0.1V。
3：用高精度万用表测量（六位半）测量MOS管DS端电压V。
MOS管的Ron=V/1A。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对MOS管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
四、mos管的导通与截止判断？
判断mos管的导通与截止，首先需要了解mos管的工作原理。mos管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的简称，其工作原理是通过电压控制mos管的栅极，来实现对源极和漏极之间电流的控制。因此，要判断mos管的导通与截止，主要看其栅极电压。当mos管的栅极电压为0时，源极和漏极之间没有导通电流，即mos管处于截止状态；当mos管的栅极电压大于其阈值电压时，源极和漏极之间导通电流，即mos管处于导通状态。此外，我们还可以通过测量mos管的源极和漏极之间的电压来判断其工作状态。如果源极和漏极之间的电压为0，说明mos管处于导通状态；如果源极和漏极之间的电压等于电源电压，说明mos管处于截止状态。综上所述，判断mos管的导通与截止，需要综合考虑其栅极电压和源极与漏极之间的电压。在实际应用中，我们可以通过适当控制mos管的栅极电压，来实现对电路的开关控制、放大等功能。
五、mos管导通的漏极电压？
漏极电压与源极电压相同
普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
六、mos管内阻一般多大？
普通的mos内阻一般是小于80毫欧。
MOS晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
七、mos管功率计算公式？
要计算 MOS 管的功率，需要知道 MOS 管的电压和电流。MOS 管的电流和电压之间的关系可以用欧姆定律来描述：电流等于电压除以电阻。在 MOS 管中，电阻是由导通状态下的管子内阻和漏极电阻组成。
因此，对于一个 MOS 管而言，其功率可以根据以下公式计算：
P = V_D * I_D
其中，P 是 MOS 管的功率，单位为瓦特（W）；V_D 是 MOS 管的漏源电压，单位为伏特（V）；I_D 是 MOS 管的漏极电流，单位为安培（A）。
需要注意的是，在实际应用中，由于 MOS 管存在开关过程，导致其实际功率可能比理论值低很多。因此，在 MOS 管的应用过程中，还需要考虑 MOS 管的工作温度、开关频率等因素，以充分发挥 MOS 管的性能。
八、mos开关管代换参数？
1 MOS开关管的代换参数包括导通电阻Ron和截止电容Coff。2 MOS开关管的导通电阻Ron与其栅电压Vgs有关，通常会在数据手册中给出相关曲线；而截止电容Coff则与栅极与漏极之间的结电容有关，通常也是在数据手册中给出的。3 MOS开关管的代换参数对于其开关特性和电路性能影响较大，因此在使用中需要注意选择合适的管型和相关参数。
九、mos管怎么看功率？
MOS管自身的功率:
P=VDS*ID,VDS=ID*Rds，Rds是MOS管得导通电阻，可以通过查看芯片手册得知RDS。MOS管的最大功耗取决于管子允许的温升,最好功耗确定后,便可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线。
MOS的功耗是指MOS在电路应用中的损耗，比如导通损耗，开关损耗等，当然设计及应用的时候这个值一定是远小于MOS管的Pd。
