巨磁电阻磁电转换特性描述？

一、巨磁电阻磁电转换特性描述？

巨磁电阻（GMR）效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象，一般将其定义为gmr＝其中（h）为在磁场h作用下材料的电阻率（0）指无外磁场作用下材料的电阻率。根据这一效应开发的小型大容量计算机硬盘已得到广泛应用。 　　

磁性金属和合金一般都有磁电阻现象，所谓磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象，人们把这种现象称为磁电阻。所谓巨磁阻就是指在一定的磁场下电阻急剧减小，一般减小的幅度比通常磁性金属与合金材料的磁电阻数值约高10余倍。

二、巨磁效应原理？

巨磁效应是指由外加磁场引起的一些磁性材料的电阻巨大变化，是磁电子学中一项重要内容，在室温下具有巨磁电阻效应的巨磁电阻材料目前已有许多种类，例如，多层膜巨磁电阻材料，颗粒型巨磁电阻材料，氧化物型巨磁电阻材料，隧道结型磁电阻材料等。

三、什么是巨磁电阻？

巨磁电阻效应可解释为磁性材料电阻率随外界磁场显著增大。一般通过设置惠斯通电桥的方式，在两个桥臂上会固定电阻，另外两个桥臂为固定电阻(和，或补偿电阻…）。 在易磁化轴上磁场变化时，GMR电阻变化，桥式电路输出明显变化。 基于此，可以实现磁场检测。 主要应用领域： 1. 硬盘磁头。采用GMR做为磁头，读取硬盘数据。 2. 电流传感器。采用梯度芯片方式，读取磁场，可做成开环电流传感器，闭环电流传感器。 3. 地磁停车系统。基于磁场检测，实现停车位检测。也有用AMR，比如honeywell hmc5883。 4. 角度传感器。GMR是平面磁场方向，所以可以在平面内形成两轴，x y分别检测正交方向磁场，结算角度。 5. 金融磁头类。 宜昌市瑞磁科技有限公司是一家电流传感器专业研发，制造企业。 目前产品线包含高精度磁通门电流传感器，TypeB.型漏电流传感器，霍尔电流传感器，电压传感器。 产品覆盖领域包括电动汽车电流检测，模式二充电线漏电流检测，新能源领域漏电检测，直流屏数据中心电流检测漏电流检测。 电梯物联网电流传感器销量遥遥领先。

四、什么是巨磁电阻效应其物理本质？

巨磁阻效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。

巨磁阻物理本质是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。

五、巨磁电阻效应的公式？

巨磁阻效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，磁阻效应的一种，产生于层状的磁性薄膜结构，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层结构中观察到，这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。一般将其定义为GMR＝其中（H）为在磁场H作用下材料的电阻率（0）指无外磁场作用下材料的电阻率。

六、什么是巨磁电阻效应？

具体如下:

1、磁电阻效应，是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。磁电阻效应可以表达为式中 （1）△ρ——有磁场和无磁场时电阻率的变化量；（2）ρ0——无磁场时的电阻率；（3）ρB——有磁场时的电阻率。在大多数金属中，电阻率的变化值为正，而过渡金属和类金属合金及饱和磁体的电阻率变化值为负。半导体有大的磁电阻各向异性。利用磁电阻效应，可以制成磁敏电阻元件，其常用材料有锑化铟、砷化铟等。磁敏电阻元件主要用来构造位移传感器、转速传感器、位置传感器和速度传感器等。为了提高灵敏度，增大阻值，可把磁敏电阻元件按一定形状（直线或环形）串联起来使用。

2、所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。

七、巨磁阻效应的本质是什么？

1. 谓磁电阻效应，是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。磁电阻效应可以表达为 　　式中 △ρ——有磁场和无磁场时电阻率的变化量； 　　ρ0——无磁场时的电阻率； 　　ρB——有磁场时的电阻率。 　　在大多数金属中，电阻率的变化值为正，而过渡金属和类金属合金及饱和磁体的电阻率变化值为负。半导体有大的磁电阻各向异性。利用磁电阻效应，可以制成磁敏电阻元件，其常用材料有锑化铟、砷化铟等。磁敏电阻元件主要用来构造位移传感器、转速传感器、位置传感器和速度传感器等。为了提高灵敏度，增大阻值，可把磁敏电阻元件按一定形状（直线或环形）串联起来使用。 2. 所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。

八、电阻效应？

随着金属多层膜和颗粒膜的巨磁电阻(GMR)及稀土氧化物的特大磁电阻(CMR)的发现，以研究、利用和控制自旋极化的电子输运过程为核心的磁电子学得到很大的发展。

同时用巨磁电阻材料构成磁电子学器件，在信息存储领域中获得很大的应用，如在1994年计算机硬盘中使用了巨磁电阻(GMR)效应的自旋阀结构的读出磁头，取得了1 Gb/inch的存储密度。

到1996年，存储密度已达5 Gb/inch，并计划在2000年前后实现存储密度10~20 Gb/inch。由于GMR磁头在信息存储运用方面的巨大潜力，激发了人们对各种材料的磁电阻效应进行深人广泛研究的热情，使得人们对于磁电阻效应的物理起源有更深的认识，促进了磁电阻效应的广泛应用。所谓磁电阻效应，是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。