mos电阻特点？

一、mos电阻特点？

中低压MOSFET产品特点

1.极强的大电流和大功率处理能力

2.极低的导通内阻

3.极低的栅极电荷

4.良好的抗雪崩击穿能力

5.超强的马达驱动能力

（开关速度快，开关损耗低，特别适应PWM输出模式）

高压MOSFET特点

1.导通电阻低

2.开关速度快

3.输入阻抗高

主要应用于：

1.电子镇流器

2.电子变压器

3.开关电源

超结MOSFET的特点

1.极低的传导损耗

2.极大的电流能力

3.极低的栅极电荷Qg

4.低的开启电压

5.极快的开关速度

6.出色的UIS能力

7.百分百的雪崩能量击穿测试

二、mos电阻有多大？

MOS电阻根据不同的制造工艺和电路设计，其阻值可以从几百到几千欧姆不等。其阻值的大小对电路的性能和功耗有着重要的影响。MOS电阻通常是由通道形成物质的电阻和衬底或源漏结的电阻组成的。为了降低MOS电阻的大小和功耗，工程师们会采用优化的器件结构和制造工艺，例如使用高材料品质的衬底或采用双多晶硅层技术等，以达到更低的MOS电阻。

三、mos管电阻公式？

MOSFET选用原则 一、反应时间T(nS)： t n 分为： T(nS) 146 Td(n)(nS) 18 开启时间Tn 导通延迟时间Td(n)+上升时间Tr Tr(nS) 59 二、驱动功率P(mW)： 2 2 P= WF=0.5CU F=0.5*U *F*Q/U=0.5*F*QU 驱动功率P（mW） 14.5 栅源电荷Q（nC） 29 三、热效应E(J)： 相关： 通态电阻RDS（ON）

通态漏极电流ID（ON） 原则 关断时间Tff 判断延迟时间Td(ff)+下降时间Tf Td(ff)(nS) 11 Tf(nS) 58 栅源电压U（V） 10 驱动信号频率F（KHz） 100

四、mos管等效电阻？

等效电阻几个连接起来的电阻所起的作用，可以用一个电阻来代替，这个电阻就是那些电阻的等效电阻。也就是说任何电回路中的电阻，不论有多少只，都可等效为一个电阻来代替。而不影响原回路两端的电压和回路中电流强度的变化。

这个等效电阻，是由多个电阻经过等效串并联公式，计算出等效电阻的大小值。

也可以说，将这一等效电阻代替原有的几个电阻后，对于整个电路的电压和电流量不会产生任何的影响，所以这个电阻就叫做回路中的等效电阻。

五、mos管静态电阻多大？

最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大栅极/源极电压VGSS为±30V

• 最大漏极持续电流（DC）Id为20.0A，最大总耗散功率Pt为50.0W

• 静态漏源导通电阻Rds典型值为0.16Ω

• 最高沟道温度Tch为150.0℃

• 总栅极电荷量典型值Qg为87.0 nC

• 采用STO-220封装, 尺寸大小为13.2mm（W）X10.2mm（H）X4.7mm（D）

六、mos驱动电阻选多大？

一般R5大概在10R-220R之间吧。很显然，R4+R5等于栅极驱动电阻，R4大约取100R-470R之间，R4太小了电流太大，三极管Q2过热。R3是根据R4来计算的，计算一下电流，放大位数，大约在1K-4K7左右吧。R2是Q1的负载电阻，并和R3为Q2提供基极电流，大概1K-4K7，和R3相等就好了，R1大概4K7-10K.

七、mos正反测电阻多大？

用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。 首先你要确认是否是MOSFET短路，去下mosfet，看看线路的GS和DS是否短路，如果PCB不短路说明MOSFET短路，这就可能是你的电流过大导致MOSFET短路，这有可能是你后端电路短路引起的，如果PCB都短路了,那就一定是后端电路引起的，你就要好好检查电路了

八、mos管栅极串联电阻作用？

MOS管栅极上串个小电阻的主要作用是: 改变管子栅极输入控制脉冲的前后沿陡度,以及防止寄生电容和电感形成的振荡, 减小输出电压尖峰,从而防止MOS管被烧坏。

简单的说MOS管的闸极有杂散电容有引线电感走线电感输入阻抗又高Q值大容易谐振,因此加个电阻或磁珠降低Q值让它不容易振荡。

九、mos管栅极电阻多大阻值？

几百兆

场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件

从mos器件的工作原理中可以看出，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论：

1) MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件。

2) MOS管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。

十、mos管的电阻有多大？

70到200欧姆

MOSFET内阻是指MOSFET在关断状态下的电阻值，一般来说，MOSFET的内阻值在70到200欧姆之间。如果MOSFET的内阻值超过200欧姆，可能会导致电路故障，因此需要检查MOSFET的内阻值。解决方法：1.首先，使用万用表测量MOSFET的内阻值，以确定是否超过200欧姆。2.如果内阻值超过200欧姆，则需要更换MOSFET，以确保电路的正常工作。3.如果内阻值低于200欧姆，则可以继续使用MOSFET，但应定期检查内阻值，以确保电路的正常工作。个人心得小贴士：MOSFET的内阻值对电路的正常工作至关重要，因此应定期检查MOSFET的内阻值，以确保电路的正常工作。