硅的电阻？

一、硅的电阻？

纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米,若掺入百万分之一的硼元素,电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。

硅也是极为常见的一种元素，然而它极少以单质的形式在自然界出现，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式，广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。硅在宇宙中的储量排在第八位。在地壳中，它是第二丰富的元素，构成地壳总质量的26.4%，仅次于第一位的氧（49.4%）。

二、硅的电阻是多少？

硅材料的二极管的正向压降约为o、6~O、7伏左右，正向电阻在600~700左右Ω。反向电阻一般为∞大。

三、光耦驱动可控硅的电阻加多少？

光耦驱动可控硅时，其电阻值受控制信号的影响，如果控制信号增加，则电阻会降低，反之则会增加。一般情况下，一般的光耦驱动可控硅电阻值在几百欧姆到几千欧姆之间。但是具体电阻值还需要根据具体硅控制器的型号和工作环境等因素进行详细计算和确认。在工业自动化、电子制造等领域中，光耦驱动可控硅广泛应用于电量控制、电机控制等方面，其灵活性和可控性得到了广泛认可。

四、纯硅的电阻高，还是掺杂的P型晶片电阻高？

纯硅有晶态和无定形两种形式，结晶硅又称金属硅或工业硅，电阻率为2140Ω.m，而无定形硅则具有高绝缘的特性，参杂后的晶片的电阻则要看所掺入的物质，以及掺入物质的类型和质量有关，P型晶片掺入的是3族元素，N型晶片掺入的是5族元素，一般来说，掺入杂质的质量越多，单位体积内形成的载流子就越多，则半导体的电阻率越低，它的导电能力越强，即电阻越小。

PS：话是这么说，但是其实我觉得这个比较没什么意义，因为半导体类的电阻受温度和体积，以及纯度影响非常大，所以说不同条件下的比较有意义吗？

五、硅电阻的特性？

　　硅电阻具有以下特点:

　　①体积小，重量轻，寿命长，成本低，且具有优良的机械强度。

　　②抗水性好。可在相对湿度很大或很小(10O%RH-O%RH)的环境中重复使用，在，l0O%RH的水蒸气里可照常工作，甚至短时司内浸大水中也不致完全失效。

　　③响应时间短。比如在2O℃时，把湿敏电阻从30%RH环境移入90%RH环境中，当电阻值改变全程的63%，响应时间不大于55。

六、硅的电阻率？

答：硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米,若掺入百万分之一的硼元素,电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。

硅也是极为常见的一种元素，然而它极少以单质的形式在自然界出现，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式，广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。硅在宇宙中的储量排在第八位。在地壳中，它是第二丰富的元素，构成地壳总质量的26.4%，仅次于第一位的氧（49.4%）。

七、可控硅对应电阻？

晶闸管的导通电阻是个非线性数字，一般为2V以下。晶闸管是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极； 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

八、单晶硅电阻率？

其工艺过程是选择电阻率为100～300欧姆·厘米的多晶块料或单晶硅头尾料，经破碎，用1：5的氢氟酸和硝酸混合液进行适当的腐蚀，然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干。

九、可控硅电阻多少最好？

可控硅电阻（SCR）的阻值并不是固定不变的，它会受到控制信号的影响而发生变化。因此，要回答“可控硅电阻多少最好”的问题，实际上需要更具体的上下文信息。可控硅电阻的阻值范围通常在几百欧姆到数兆欧姆之间，不同类型的可控硅电阻其阻值也会有所不同。在选择可控硅电阻时，我们通常会根据具体的电路设计需求来选择合适的阻值。例如，在某些电路中，我们需要一个具有较大阻值的可控硅电阻来限制电流的大小，而在其他电路中，我们可能需要一个具有较小阻值的可控硅电阻来实现更快速的响应。所以，最好的可控硅电阻阻值取决于具体的应用场景和设计需求。如果你能提供更多的上下文信息，我可能能够给出更具体的建议。

十、可控硅限流电阻选择？

典型值 R7=100 欧姆，1/4瓦。

R7的作用是用来旁路过3061的漏电流，避免漏电流引起的误触发导通。R6是触发限流电阻。3061上有一个允许触发电路，加在3061的电压低于某一个值时允许触发，高于某一个值时不允许触发。此本电路触发电压最高值为6V,因此，最大的触发电流为（6-1）/R7，此电流应该小于3061的电流上限1安，因而此电阻最小值为5欧姆。此电阻的最大值限流值不应小于可控硅的触发电流，一般小塑封双向可控硅的触发电流小于50豪安，因此最大值100欧姆。触发时间极短，最长不超过几十微妙，因此电阻的功率选择很宽泛。