异质结概念？

一、异质结概念？

异质结，两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结（P-p结或N-n结）和异型异质(P-n或p-N)结，多层异质结称为异质结构。通常形成异质结的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。

二、单异质结和双异质结LD的区别？

1、工作原理

LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。

2、架构

LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。

3、效能

LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。

4、寿命

LD由于采用金属封装和专用电源，可以通过先进的半导体温控技术，达到完美的温度控制，使得产品始终在设定的合理温度下工作，寿命能够很好的得到保证。

ED产品由于采用灌胶封装以及LED灯需要组装大量LED管，所以发热量大，而且这种发热直接影响到产品寿命，使得LED产品在使用一段时间后出现严重的光衰现象，直接影响产品使用效果，甚至产品报废。

5、成本

普通单个LD的价格高于同级别的LED大约20倍左右。

三、什么叫异质结？

同质结就是同一种半导体形成的结，包括pn结，pp结，nn结。

异质结就是不同半导体形成的结，包括pn结，np结，pp结，nn结。

四、异质结优缺点？

异质结的优点是它可以产生电荷分离，使得电子和空穴组成的载流子被分离，提高了材料的电导率和效率，可以应用于太阳能电池、光电探测器等领域。 另外，异质结还可以通过分隔带隙来产生激子等，使得材料在光电转换方面具有更高的性能，而且不同材料之间的异质结还可以通过能带对齐来调节电子结构，实现更加理想的半导体材料。异质结的缺点是在材料接口处可能会存在一些缺陷和失配，导致材料特性的不稳定和表现的不一致，而且制备工艺和条件也相对比较复杂，对材料的加工和性能的控制要求较高。总之，异质结作为一种复杂的材料结构，在材料领域中具有重要的应用和研究价值，同时也面临着一些挑战和难点。

五、范德华异质结定义？

范德华异质结是一种二维层状材料，具有结构多样性、电子多样性和力学多样性，兼具高门控性、高载流子收集率及强栅极响应能力等独特的功能性。

这为功能器件的设计提供了新思路，在能源、电子、生物医药等领域具有重要的应用前景。

虽然材料的非均质性带来了奇特的功能性，但是这种非均质性也给材料的合成、规模化生产带来极大的困难，同时也给力学工作者带来了新的挑战和机遇。

六、n型异质结和p型异质结的区别？

n型异质结是一种特殊的PN结，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。

p型异质结的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和光电子器件的关键成分。

七、异质结电池用途？

        异质结电池，全称为“晶体硅异质结太阳能电池”，是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。

       异质结电池大量利用在太阳能板、城市公共交通、通讯设备、电力安装工程、国防科技或是在远洋航行、国内航空不同经济领域，HIT电池都具有了不能缺失的重要作用

八、异质结电池原理？

　　异质结电池全称为本征薄膜异质结电池，同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅（a-Si）和晶体硅（c-Si）材料形成的（背面的高低结亦然）。

　　HIT电池结构：

　　在电池新技术方面，异质结电池由于其独特的双面对称结构及非晶硅层优秀的钝化效果，具备着转换效率高、双面率高、几乎无光致衰减、温度特性良好、可使用薄硅片、可叠加钙钛矿等多种天然优势，加之其制造工艺流程较短，未来成本下降空间较大。

　　从光伏电站的业主视角出发，应用HJT技术后，光伏电池片的转换效率从22.3%提升至24%，即同等占地面积的电站，年发电量约增加7.6%。

　　异质结技术不仅具备优异的转换效率，而且生产工艺步骤相对简单。与需要10余项流程的PERC+以及TOPCon相比，HJT工艺流程相当简洁，首先，与常规电池处理一致，对机械切割后的硅片表面进行蚀刻、制绒处理。随后，开始在硅片两侧沉积本征非晶硅薄膜，然后再沉积极性相反的掺杂非晶硅薄膜。再下一步，开始制备TCO薄膜，TCO的制备主要通过物理气相沉积（PVD）技术的溅射来完成。最后，在TCO顶部进行表面金属化处理，便可得到异质结电池。

九、异质结电池概念？

异质结电池是一种高效晶硅太阳能电池结构，利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，即在P型氢化非晶硅和N型氢化非晶硅与N型硅衬底之间增加一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜。

十、同型异质结原理？

半导体的异质结是一种特殊的PN结，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。

半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和光电子器件的关键成分。