什么是驱动电压和驱动电流?
一、什么是驱动电压和驱动电流?
我认为可以这样理解电压驱动和电流驱动区别。当一个器件接受电压的变化输入后,它的外部特性改变大,还是接受电流输入变化后,它的外部特性改变大。那个改变大,就可以算作那类器件。
比方发光二极管,其输入电压基本是一个确定值,提高电流可以改变亮度,减小电流降低亮度,那么就把它确定为电流型器件。
又比如气体型霓虹灯,电压低了连亮都不亮。亮了以后电流很小,那么就把它确定为电压型器件。供参考。
二、mosfet是电压驱动还是电流驱动?
MOSFET是电压驱动, 双极型晶体管(BJT)是电流驱动。(1)只容许从信号源取少量电流的情况下,选用MOS管;在信号电压较低,有容许从信号源取较多电流的条件下,选用三极管。
( 2)MOS管是单极性 器件(靠一种多数载流子导电),三极管是双极性器件(既有多数载流子,也要少数载流子导电)。
( 3) 有些MOS管的源极和漏极可以互换运用,栅极也可正可负,灵活性比三极管好。
(4)MOS管应用普遍, 可以在很小电流和很低电压下工作。
(5)MOS管输入阻抗大,低噪声, MOS管较贵,三极管的损耗大。
(6)MOS管常用来作为电源开关,以及大电流开关电路、高频高速电路中,三极管常用来数字电路开关 控制。
三、scr是电压驱动还是电流驱动?
答:SCR叫普通晶闸管。属于双极型的器件,阻断电压高,通态压降低,电流容量大,但工作频率低,使用大中容量变流设备。
IGBT 复合型器件,是GTR和MOS的混合也具有通态压降低,电流容量大的优点,更具有,输入阻抗高,响应速度快,控制简单的优点。
SCR 频率最高才差不多十的四次方,但是功率很大,IGBT十的八次方频率。
四、mos是电流驱动还是电压驱动?
IGBT驱动电路是通过驱动电源、门极电阻、门极电容等使IGBT实现开通和关断。IGBT开通时,电压会通过IGBT加在负载上,如电机电感。通过合理控制开通时间使电感电流达到需要的值。
另外,驱动电路一般还需要集成保护功能,如短路保护、VGE钳位、VCE电压钳位等;
五、mos管电压驱动还是电流驱动?
答:GTO是电流触发,其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断;GTO称之为可关断可控硅,可以在有电流时关断。
MOSFET和IGBT是电压控制器件,类似于场效应管,可通过栅极电压控制其导通和关断,开关速度高于GTO,由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高,后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。
六、led灯电压驱动与电流驱动区别?
我认为可以这样理解电压驱动和电流驱动区别。当一个器件接受电压的变化输入后,它的外部特性改变大,还是接受电流输入变化后,它的外部特性改变大。那个改变大,就可以算作那类器件。 比方发光二极管,其输入电压基本是一个确定值,提高电流可以改变亮度,减小电流降低亮度,那么就把它确定为电流型器件。又比如气体型霓虹灯,电压低了连亮都不亮。亮了以后电流很小,那么就把它确定为电压型器件。供参考。
七、gto是电流驱动型还是电压型驱动?
可控硅、GTO是电流触发,其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断;GTO称之为可关断可控硅,可以在有电流时关断。
MOSFET和IGBT是电压控制器件,类似于场效应管,可通过栅极电压控制其导通和关断,开关速度高于GTO,由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高,后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。
它们共同的作用就是可以用较小的电流(或电压)去控制较大的电流,同时都具有单向导电性,均可作为整流和逆变元件使用,。但相比之下,可控硅的应用范围相对狭窄,但因为这些器件中,可控硅是最廉价的,工艺成熟,可做成高压、大电流,所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。
八、蜂鸣器是靠电压驱动还是电流驱动啊?
电流是蜂鸣器所消耗的电流大小,有源蜂鸣器是电压驱动,电流大反应消耗的电能大
九、mosfet驱动电路是否需要驱动电流和驱动功率?
驱动电路一般指的是对后级大功率元件的驱动,这对功率的要求比较大,既要求大功率,也要求大的驱动电流。
十、直流电机是电流驱动还是电压驱动?
直流电机是靠电流驱动的。
因为驱动电机主要是靠电流。根据法拉第电动机原理,通电导线在磁场中产生电动力,电动力的大小与电流成正比。所以是电流,而不是说电压。当通电导线用电阻较大的材料时,比如有铝导线,产生同样的电流要更高的电压。
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