关于场效应管Vgs和Vds电压的问题？

一、关于场效应管Vgs和Vds电压的问题？

当Vgs>=Vth时形成反型层，在gate下产生一个电荷分布均匀的沟道（简单理解就是gate底下聚集了一层被吸上来的电子）。但是此时drain和source之间没有电势差，电荷不会自己移动。

当Vds>0时，电子从source迁移到drain，产生由drain到source到电流。

当Vds>Vgs-Vth时，gate和沟道之间的电势差=Vgs-Vds

二、场效应管栅极的最高电压是多少？

栅极最大开启电压一般不超过22v。与前级驱动栅极电阻最好不＞470Ω（一般是配合加速电路），否则开关速度变慢易坏场效应管。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

三、Vgs是什么电压？

1、Vgs是栅极相对于源极的电压。

与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是

|VGS|>|VTP (PMOS)|，

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。

2、PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。

3、MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路 。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层。

4、当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

四、igbt栅极电压范围？

15V-20V之间。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VCE越高，VDS也就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥IGBT的工作能力。

但是，VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高。IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。

五、什么帘栅极电压？

为了提高电子管的放大系数， 在三极管的阳极和控制栅极之间另外加入一个栅极称 之为帘栅极而构成四极管，由于帘栅极具有比阴极高很多的正电压，因此也是一个能力很强的加速电极， 它使得电子以更高的速度迅速到达阳极， 这样控制栅极的控制作用变得更为 显著。因此比三极管具有更大的放大系数。但是由于帘栅极对电子的加速作用，高速运动的 电子打到阳极，这些高速电子的动能很大，将从阳极上打出所谓二次电子，这些二次电子有 些将被帘栅吸收形成帘栅电流， 使帘栅电流上升导致帘栅电压的下降， 从而导致阳极电流的 下降，为此四极管的放大系数受到一定而限制。

为了解决上述矛盾，在四极管帘栅极外的两侧再加入一对与阴极相连的集射极，由于集射 极的电位与阴极相同， 所以对电子有排斥作用， 使得电子在通过帘栅极之后在集射极的作用 下按一定方向前进并形成扁形射束， 这扁形电子射束的电子密度很大， 从而形成了一个低压 区， 从阳极上打出来的二次电子受到这个低压区的排斥作用而被推回到阳极， 从而使帘栅电 流大大减少，电子管的放大能力得而加强，这种电子管我们称为束射四极管。束射四极管不 但放大系数较三极管为高，而且其阳极面积较大，允许通过较大的电流，因此现在的功放机 常用到它作为功率放大。

正常情况的帘栅极电压约为70V

六、场效应管栅极电流能有多大？

16a。

irf1205场效应管的参数额定功率18瓦。最大漏源电流：16A，漏源击穿电压：600V，内阻：0.26，通态电流：8A，栅极电压：10V，

irf1205场效应管又称光敏三极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。

七、场效应管的栅极电压一般不超过多少？

场效应管的栅极电压大约在10V左右，根据使用管子型号不同，不要超过20V。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）。

八、mos栅极电压是多少？

mos栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3.3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。

那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。

MOS管驱动方法 MOS管是电压驱动型的器件,和三极管是不同的,只有栅极(G)电压大于门极开启电压(Vgs)才可以导通

九、场效应管栅极通正极还是负极？

场效应管栅极通正极。

场效应管，分别有三个极，栅极、漏极、源极。其工作原理是通过给栅极和源极一定的压差使得漏极和源极导通，是一种电压控制电流的器件。

场效应管分为P管和N管，就N管而言，你需要给栅极加一定的正电压（栅源耐压范围内的电压），给源极加一个小于栅极的电压，当栅源压差大于导通电压（Vth）后，场效应管就开始导通了，实际应用中，经常把源极接在GND上，方便管子的开启关断。

而P管导通的条件与N管相反，所以：栅极和源极是有方向的，哪个接正哪个接负要视管子的管型而定！

十、场效应管栅极加正电还是负电？

P沟道场效应管栅极加正电，N沟道场效应管栅极加负电。

结型场效应管可分为N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。 　为保证N沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即uGS<0)，以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间加正向电压uDS，以形成漏极电流。栅-源之间负向电压越大，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，导电沟道越窄，沟道电阻变大，漏极电流iD越小;相反，若栅-源之间负向电压越小，则耗尽区就越薄，导电沟道越宽，沟道电阻变小，漏极电流iD越大。因此实现了场效应管的栅-源间负向电压对沟道电流的控制。 而对于P沟道结型场效应管，与N沟道原理类似，但要在其栅-源之间加正向电压(即uGS>0)才能保证其能能正常工作。