二极管标志的正向？

一、二极管标志的正向？

之极管的标志好象是一个箭头正在刺向一个盾牌。箭头的方向是正向，盾牌的方向是负向。

二、二极管的正向电阻？

二极管具有单向导电特性，正向电阻很小，当正向电流变化时其电阻也发生微小变化，正向电流越大，正向它阻越小。在正向工作时，可看成导通状态。

三、二极管正向连接时要注意什么问题？

要先弄清楚电路的工作条件，选择相应技术参数的二极管，特别是工作电流、反向电压、恢复时间等参数。

四、二极管正向导通的条件是怎样的呢？二极管正向？

给与正向电压,并且大于二极管的导通电压!

0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V）,导通后二极管两端的电压基本上保持不变

1、二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）；

2、加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。

二极管的死区电压：

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

二极管的工作原理

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。硬之城二极管。

五、肖特基二极管的正向阻值？

特基二极管的正向阻值在1k欧姆左右，正向压降在0.1～0.3之间。

六、硅二极管的正向导通压是多少？硅二极管的正向？

普通硅二极管的正向压降典型值一般认为是0.7V。二极管的正向压降并不是稳定的，它受温度和电流的影响，一般情况下温度越高压降越低，电流越大压降越高；大电流整流时，二极管的正向压降甚至可以达到1V；而通过微安级小电流时，压降可能不足0.5V。

七、解释二极管的正向饱和？

1二极管有正向导通特性2.正向导通电流达到一定程度，行成饱和，即饱和。

3.这个可以从二极管电流和电压曲线看出。此时电压不再随电流增加而增加。

八、二极管正向偏置原理？

二极管的正向偏置是半导体器件特性之一。将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，即p区接正极，n区接负极，使二极管正向导通，叫做二极管正向偏置

九、如何设计二极管的正向特性？

二极管的制作工艺就是在本征半导体上，比如硅的表面扩散，不同的元素，不同元素之间就会由于化学键，和分子扩散运动，形成一个pn结，说白了，就是形成了一个电场，由于这个电场的特性，决定了，正向导通，反向截止

十、二极管的正向接法是什么？

把一个1.5V的干电池直接接到(正向接法)二极管两端，会发生类似电源短路的问题，电路电流很大，会导致烧毁二极管。

因为二极管具有单向导电性，正向电阻非常小，反向电阻非常大，所以1.5V的干电池直接接到(正向接法)二极管两端，二极管的电流非常大，电路出现短路，最后烧毁二极管。 二极管通常是晶体二极管。将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结，PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 二极管本质就是一个PN结，具有单向导电性，P→N电阻很小，N→P电阻很大。