nmos和pmos的导通电压？

一、nmos和pmos的导通电压？

NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS（ON）非常小，在导通时D与S电压几乎一样；“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压，这是N沟道MOS管导通的必要条件。

NMOS导通需要gs有一个正压，导通时，必须通过自举电容来获取gs的正压，pmos导通gs需要一个负压，即G端电压要小于s端电压，这样ic实现起来就很方便了，不用之举电容。

但是pmos没有nmos流行的原因是，pmos导通压降大，效率低，Pmos的同态电阻比NMOS大，输入电压低，而且还有成本问题，所以开关电源主开关管很少用PMOS导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况（高端驱动）。

但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

二、PMOS管的控制端没有电压，为什么还能导通？

要解释你的问题，首先要了解MOS管的工作原理。MOS管与一般晶体三极管是不同的。它是电压控制元件，它是栅极电压控制的是S-D极间的体电阻。在栅极施加不同的电压，源-漏极之间就会有电阻的变化，这就是MOS管的工作原理。栅极电压对应在器件S-D极的电阻变化曲线可以查器件手册。

根据MOS管的这个特性，既可以选择将MOS管作放大器工作，也可以选择作为开关工作。根据以上原理分析，在你的问题中，如果要使MOS管作在开关状态，就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。

你在栅极施加的电压只有5V（对于单管而言我认为栅极电压低了，一般应该在12V左右比较好），这个电压下MOS管的夹断电阻依然比较大，所以输出只有8V。

三、pmos管导通和截止的条件？

PMOS管的导通和截止取决于栅极和源极之间的电压关系。当栅极相对于源极的电压低于阈值电压（通常为负值）时，PMOS管导通，电流流过。当栅极电压高于阈值电压时，PMOS管截止，电流不再流动。

这是因为当栅极电压低于阈值时，沟道被吸引到栅极，形成导通通道，从而允许电流流动。

而当栅极电压高于阈值时，沟道被堵塞，导致截止。

因此，PMOS管的导通和截止取决于栅极和源极之间的电压关系，这种特性使得PMOS管在数字集成电路中起着重要的作用。

四、电压如何测导通？

首先上电测量，交流测220v,直流测本身电压24v12v5v3.3v如果用数字万用表档位是交流档400v，直流档按需要拨档，如果测的的电压为0说明断开，有值说明导通。

五、导通压降和导通电压？

1.

导通压降:二极管开始导通时对应的电压。 正向特性:在二极管外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。

2.

反向特性:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后,二极管反向击穿。

六、pmos管做开关导通条件？

1、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V

如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw

那么mos管不导通，D为0V，

所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。

那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。

七、晶闸管导通时正向电压和反向电压？

每个晶闸管承受的反向电压是线电压(课本有u vt的波形图)因给出的一般是变压器二次侧相电压U2,故先转换成线电压 即√3U2,再转换成线电压峰值 即√2×√3U2。

在三相桥电阻负载时,由于电流断续,晶闸管会关断,这时最大正向电压为根号二的相电压,最大反向电压为根号6的相电压,在阻感负载时,电流一定连续,所以最大正反向电压都是根号6相电压。

八、达到电压自动导通的电路？

这类电路很多，现举几个例子如下:

1、稳压二极管

由稳压二极管组成直流稳压电路，当电压达到稳压二极管的反向击穿电压，稳压二极管就导通。

2、日光灯电路

日光灯管导通需400V电压，可用倍压整流，使灯管两端电升高到400V以上，灯管导通发光。

3、液位控制电路

用浮漂控制滑动电位器，控制加到晶体管基极电压，当电压达到晶体管导电压时导通，控制继电器接通泵站加液。

九、pn结导通死区电压原因？

是这样的,所谓死区电压:

由于PN结内部有自建电场,电子和空穴的漂移作用,其内部本身就具有一定的电能,也就是说它的内部本身带有电荷,我们利用它的单向导电性,其实就是给PN结加上外部电压,破坏了它内部自建电场的平衡,当然!这需要达到一定的电压值,至少要高于PN结内部的自建电场。

也由于二极管内部的材料是半导体，它对电压有一定的阻力。

电压过低，则无法破坏PN结内部的自建场，所以不同材料的管子，也就有不同的死区电压。

常用的硅管PN结死区电压为0.7-0.8V，锗管为0.1-0.3V

十、继电器导通和截止电压？

继电器导通截止电压表示继电器吸合和释放的电压。