mos管导通的漏极电压？

一、mos管导通的漏极电压？

漏极电压与源极电压相同

普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

二、mos管导通后各极电压？

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

MOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：

VGS

|VGS|>|VTP (PMOS)|

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。

三、mos管导通后电压要求？

只要维持导通电压即可

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。

四、mos管导通的最低电压？

MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。

一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。

开关只有两种状态通和断，三极管和MOS管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。

五、mos管栅极接什么电压时导通？

mos管栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3.3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。

那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。

MOS管驱动方法 MOS管是电压驱动型的器件,和三极管是不同的,只有栅极(G)电压大于门极开启电压(Vgs)才可以导通。

六、mos管g极与s极需要电压吗？

mos管g极与s极需要电压的。

这个电压是指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压,标记为Ugs(th)。

一般N-MOSFET的话,这个电压一般是2-4V之间.不过要提醒的是：

这个电压仅仅是导电沟道开始形成时的电压,如果要形成比较完整的沟道,电压往往要上升到10V左右才好,否则通体电阻会比较大。

七、9013三极管基极电压是多少时才可以导通？

0.7v。

扩展资料：

9013导通的首要条件是基极电压高于射极电压（约0.7伏左右），这时有基极电流流向发射极，此电流经三极管放大产生集电极电流（约为基极电流乘以三极管直流放大倍数）。

基极电流越大集电极电流也越大，如集电极电流超过最大允许电流时三极管将烧毁，因此常在集电极串联电阻以限流。

用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。

八、mos管的导通电压是多少？

你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，PMOS的阈值电压可能只有-0.4V左右，NMOS更小一些，可能0.3V左右。

九、增强型NMOS管，如果在GD两端加正电压，MOS管会导通吗？

mosfet的是个对称的四端器件，sd是没区别的，所以电压给对就是可能导通的。

但一般情况下bs可能接在一起，就没有那么对称了，不过这样的影响是，当sd间加正电压时，bd间的pn结会导通。但这是因为b的电位随s变化导致的，不是sd搞反了导致的。

十、MOS管D极和S极要短接一下才导通？

1，线路设计是没有问题的， 但是你漏了一个电阻，就是在MOS管的S端应该有个

保护电阻，因为靠MOS过流内阻上升到0.7V很难，所以电晶体保护就失去意义

2，你确定DS没有接错， D接灯，S接地

3，使用电表测量VGS（测量MOS管的脚）是否>5V？

6, 你电阻R28=5.1K， R27=474 ？ 是否是470K？

7，工作时候(灯亮)Vgs 的

电压应该＝[蓄电池－1.4）×（R27/(R27+R28)]

电压必须>5V

如果不是就是控制那个光耦（猜测）线路可能有些问题

以上如果使用的是IRF1404