双门限电压比较器工作原理？

一、双门限电压比较器工作原理？

电压比较器，顾名思义，就是两个输入端的其中一个作为基准，另外一个与基准作比较，输出只存在高电平和低电平两种状态。通过电压比较器，可以将模拟信号转变为数字信号。

+输入引脚的电位〉-输入引脚的电位时，输出高电平；

-输入引脚的电位〉+输入引脚的电位时，输出低电平；

二、什么是门限电路？

在一定范围内的选择性电路，即是将信号转变为单片机能够处理识别这个信号的一个逻辑电路，因为不知道这里说的正弦波的幅度范围是多少，即要将这个信号转换到0和5v。

门限电路提供电压比较，选择适合的电压通过。供比较的基准电平。

三、门限电压是死区电压吗？

是死区电压。所谓死区电压：由于PN结内部有自建电场，电子和空穴的漂移作用，其内部本身就具有一定的电能，也就是说它的内部本身带有电荷，利用它的单向导电性，其实就是给PN结加上外部电压，破坏了它内部自建电场的平衡。

在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。

四、单项比较器有多少个门限电压？

单限比较器的门限电压只有一个；设置门限电压的时候，要注意看比较器的共模输入电压是多大，门限电压超过共模输入电压的时候，是比较不出来的。 像339这样的比较器，共模输入电压范围是0~VCC-1.5V。

五、什么是门限电压？

门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层(氧化物)和基体(身体)之间的接口晶体管。

理想门限门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层(氧化物)和基体(身体)之间的接口晶体管。在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成，正面地充电流动孔作为载体。当正面电压是应用的在门，电场造成孔从接口被排斥，创造a势垒区包含固定消极地被充电的接收器离子。在门电压的进一步增加最终造成电子出现于接口，在什么称逆温层，或者渠道。电子密度在接口同一样孔密度在中立粒状材料称门限电压历史的门电压。实际上门限电压是有足够的电子在做MOSFET来源之间的一个低抵抗举办的道路和排泄的逆温层的电压。

六、双电压比较电路是什么？

类似于增益不可调的运算放大器。每个比较器有两个输入端和一个输出端。两个输入端一个称为同相输入端，用“+”表示，另一个称为反相输入端，用“-”表示。

用作比较两个电压时，任意一个输入端加一个固定电压做参考电压（也称为门限电平，它可选择IC输入共模范围的任何一点），另一端加一个待比较的信号电压。

当“+”端电压高于“-”端时，输出管截止，相当于输出端开路。

当“-”端电压高于“+”端时，输出管饱和，相当于输出端接低电位。

两个输入端电压差别大于10mV就能确保输出能从一种状态可靠地转换到另一种状态，因此，把IC用在弱信号检测等场合是比较理想的。

IC的输出端相当于一只不接集电极电阻的晶体三极管，在使用时输出端到正电源一般须接一只电阻（称为上拉电阻，选3-15K）。选不同阻值的上拉电阻会影响输出端高电位的值。

因为当输出晶体三极管截止时，它的集电极电压基本上取决于上拉电阻与负载的值。另外，各比较器的输出端允许连接在一起使用。

七、mos管的门限电压？

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。

MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。

八、求NE556N电压比较电路？

答：只要设置好输出电路即可：

1、输出端的上拉电阻采用8V供电，就实现了芯片高电平时输出8V；

2、上拉电阻用3k 5k串联分压，使得芯片输出0电平时输出5V分压值。

九、lm393电压比较器电压比较电路请教，有图片说明？

我是明白人，题目比较宏大，听我慢慢道来。

你的电路没法完成你的想实现的功能的。原因有以下几点： 比较器输入端负端，因为你的电源是13V，所以稳压管取值应低于这个值，我建议你取一半，6V吧。这个取名叫基准电压。比较器正输入端与地之间增加一个电阻，取值当电源为13V时，R2与它的分压略高于13V，考虑使用多圈可调电阻。因为比较器负端接的是稳压管，电压不变是6V。比较器的正端是R2与可变电阻的分压，你可以调整可变电阻，使电源电压13V时，比较器负端略高于6V即可，注意，这个电压不用测量，看输出即可。这个电压叫取样电压。这样就实现了你想要的功能，比较器基准电压固定不变，取样随电源电压变化，正端高于负端，输出为正，三极管导通，反之截止。不过先别高兴太早，即便这样，电路也没法正常工作，原因有二： 一个是因为你把动作电压定为一个值，这样当电源电压非常接近13V或在这个电压附近波动时，电路频繁动作，这是电路设计忌讳的。第二个，你说的负载最大15瓦，这样就存在一个问题，当三极管导通，负载工作时，会拉低电源电压，取样电压低于基准电压，电路截止，负载断开，电源电压又上升，电路又工作，负载接通，电压降低，反复循环，形成震荡，电路根本无法正常工作。因为解决这两个问题还需要写很长一篇，如果你感觉有意义，你再问，省的写了半天，你不感兴趣，那不是白忙活了么，你说是吧。

十、电压门限值是什么意思？

门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层(氧化物)和基体(身体)之间的接口晶体管。

中文名

门限电压

外文名

a MOSFET

定义为

门电压

理想门限电压

为0

在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成，正面地充电流动孔作为载体。 当正面电压是应用的在门， 电场造成孔从接口被排斥，创造a 势垒区包含固定消极地被充电的接受器离子。 在门电压的进一步增加最终造成电子出现于接口，在什么称逆温层，或者渠道。 电子密度在接口同一样孔密度在中立粒状材料称门限电压历史的门电压。 实际上门限电压是有足够的电子在做MOSFET来源之间的一个低抵抗举办的道路和排泄的逆温层的电压。

如果门电压在门限电压之下，晶体管被关闭，并且理想地没有潮流从流失到晶体管的来源。 实际上，有潮流甚而为门偏心在门限之下(次于最低限度的漏出)潮流，虽然它是小的并且随门偏心变化指数地。

如果门电压在门限电压之上，晶体管在渠道起动，由于那里是许多电子在氧化物硅接口，创造低抵抗渠道，潮流可能从流失流动到来源。 重大电压在门限之上，这个情况被要求强的反向。 渠道逐渐变细，当 vD > 0 因为电压下落由于当前流动在抗拒渠道减少支持渠道的氧化物领域，当流失接近。

门限值是一个通用词汇，表示这个数值是临界点，某个参数超过门限值会引起对应的某个性质急剧的变化。

电压门限值的参数是电压，如稳压二极管的稳定电压 Vz ，表示稳压管工作在反向击穿状态，电压很小的变化就会引起电流急剧变化。

再比如 TTL 数字电路的低电平输入电压门限值是 Vil ＜0.8V ，代表逻辑 0 ，如果输入电压超过门限值就有可能造成逻辑错误，变成逻辑 1 。