主板MOS管出来电压多少？

一、主板MOS管出来电压多少？

这是mos管全桥驱动电路，需要检查的电路有:+24伏供电电路是否正常，mos管驱动电压是否在6伏以上。

二、mos管最高电压？

MOS管最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个限制,器件就容易被损坏。

当MOS管工作时使用栅极输入电阻,并在一个具有较大供电电压的电路中快速关断,器件内部的米勒电容就会耦合一个电压尖峰到栅极,引起栅极电压超限的问题。

MOS管最高电压：以一个工作于直流线电压为160V(最大可为186V )电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断,它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来,由Crss和Ciss分压。

三、主板mos管冒烟？

原因很多。

比如说：你超频了，在超频过程中你增加了CPU电压。 还有，你电脑电源质量不合格，一级二级虑波被省略，当你家里的电不稳定就会出面这程情况 你主板做工也有关系，如果主板供电不稳定的话也会出面MOS管被击穿。 你家没接地线，或没有埋更深，出面打雷的情况都会出面MOS管被击穿。 我觉得最大的可能就是你电脑电源的问题。

四、主板mos管短路？

高低端MOS管在电路中的作用是DC-DC降压，将适配器的电压转换为主板所需要的各路电压。

高低端MOS管一般都是N沟道(只有少部分充放电芯片会使用P沟道)，高低端MOS损坏的现象就是击穿。使用万用表去测量形成了通路。

一般常见原因是由于供电控制芯进水或损坏，导致MOS管G极失去控制信号(MOS管不可以在没有供电芯片时直接加电，否则直接导致击穿损坏)。

如果遇到MOS管损坏的故障，要综合考虑故障原因，防止更换后依旧短路，导致后级元件烧毁。

五、mos管的电压范围？

关于这个问题，MOS管的电压范围通常取决于具体的型号和规格，不同的MOS管可能有不同的额定电压范围。一般来说，MOS管的工作电压范围可以从几伏到几百伏不等。有些低压MOS管适用于低电压应用，如3.3V或5V逻辑电平，而高压MOS管可以承受数百伏的电压，用于高压应用。具体的电压范围应在产品规格书或数据手册中查找。

六、如何测MOS管电压？

对地测阻值是红的接地，黑的接测试点。 测电压就的红的接测试点，黑的接地

七、mos管多大电压驱动？

30V以下5v以上。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

八、电脑主板mos管参数？

电脑主板适用场效应管参数及代换 器件型号 用途及参数 替换型号 相似型号 封装类型 2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型） 用于大电流开关 60V，34A，40W，32/110ns，Ron=Ω TO-252 3353- Z N-MOSFET（耗尽型） 用于大电流开关 60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩ TO-263 3354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型） 用于大电流开关 60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ 2SK 3355-ZJ 2SK 3355-ZJ TO-263 3355-ZJ N-MOSFET（耗尽型） 用于大电流开关 60V，83A，100W，130/510ns，Ron=Ω 2SK 3354-S-Z 2SK 3354-S-Z TO-263 3366-Z N-MOSFET（耗尽型） 用于用于笔记本电 脑中的DC-DC转换 30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩ TO-252 3367-Z N-MOSFET（耗尽型） 用于用于笔记本电 脑中的DC-DC转换 30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩ TO-252 3377-Z N-MOSFET（耗尽型） 用于大电流开关 60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩ TO-252

九、mos管的基准电压？

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关,例如几十V的耐压一般为1-2V,200v以内的一般为2-4V,200V以上的一般为3-5V。 MOS管,当器件由耗尽向反型转变时,要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状

、MOS管的电压特性,在MOS管栅源之间的施加电压在多数情况下不能超过20V,在实际应用率MOS管的栅极电压一般被控制在10V左右

十、mos管电压怎么选？

当vGS数值较小，吸收电子的才能不强时，漏——源极之间仍无导电沟道呈现，vGS增加时，吸收到P衬底外表层的电子就增加，当vGS到达某一数值 时，这些电子在栅极左近的P衬底外表便构成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间构成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，构成反型层。

vGS越大，作用于半导体外表的电场就越强，吸收到P衬底外表的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。

即N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能构成导电沟道，管子处于截止状态。

只要当vGS≥VT时，才有沟道构成。沟道构成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。

但是Vgs继续加大，比方IRFPS40N60K

Vgs=100V时

Vgs增大会减小Rds（on）减小开关损耗，但是同时会增大Qg，使得开启损耗变大，影响效率