pmos管导通和截止的条件？

一、pmos管导通和截止的条件？

PMOS管的导通和截止取决于栅极和源极之间的电压关系。当栅极相对于源极的电压低于阈值电压（通常为负值）时，PMOS管导通，电流流过。当栅极电压高于阈值电压时，PMOS管截止，电流不再流动。

这是因为当栅极电压低于阈值时，沟道被吸引到栅极，形成导通通道，从而允许电流流动。

而当栅极电压高于阈值时，沟道被堵塞，导致截止。

因此，PMOS管的导通和截止取决于栅极和源极之间的电压关系，这种特性使得PMOS管在数字集成电路中起着重要的作用。

二、PMOS管的控制端没有电压，为什么还能导通？

要解释你的问题，首先要了解MOS管的工作原理。MOS管与一般晶体三极管是不同的。它是电压控制元件，它是栅极电压控制的是S-D极间的体电阻。在栅极施加不同的电压，源-漏极之间就会有电阻的变化，这就是MOS管的工作原理。栅极电压对应在器件S-D极的电阻变化曲线可以查器件手册。

根据MOS管的这个特性，既可以选择将MOS管作放大器工作，也可以选择作为开关工作。根据以上原理分析，在你的问题中，如果要使MOS管作在开关状态，就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。

你在栅极施加的电压只有5V（对于单管而言我认为栅极电压低了，一般应该在12V左右比较好），这个电压下MOS管的夹断电阻依然比较大，所以输出只有8V。

三、nmos和pmos的导通电压？

NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS（ON）非常小，在导通时D与S电压几乎一样；“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压，这是N沟道MOS管导通的必要条件。

NMOS导通需要gs有一个正压，导通时，必须通过自举电容来获取gs的正压，pmos导通gs需要一个负压，即G端电压要小于s端电压，这样ic实现起来就很方便了，不用之举电容。

但是pmos没有nmos流行的原因是，pmos导通压降大，效率低，Pmos的同态电阻比NMOS大，输入电压低，而且还有成本问题，所以开关电源主开关管很少用PMOS导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况（高端驱动）。

但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

四、pmos管做开关导通条件？

1、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V

如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw

那么mos管不导通，D为0V，

所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。

那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。

五、mos管导通后电压要求？

只要维持导通电压即可

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。

六、稳压管电压多少伏导通？

稳压管在二极管家族里是一个特殊的一员，它是工作在反向电压才能工作，原理是当反向施加电压达到某一值时它的导通电流急剧增加，两端的电压确不再增加稳定在一个值上。导通电压是多少，这要看它的系列和序号。在电子电路中稳压值从3v－12v的居多。

七、mos管导通的最低电压？

MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。

一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。

开关只有两种状态通和断，三极管和MOS管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。

八、nmos管导通后各管脚电压？

漏源电压基本一致，栅级与源极相差0.7v左右。

九、mos管导通的漏极电压？

漏极电压与源极电压相同

普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

十、mos管导通后各极电压？

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

MOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：

VGS

|VGS|>|VTP (PMOS)|

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。