mos管放大电压还是电流？

一、mos管放大电压还是电流？

mos管放大电流。

MOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

二、mos管放大的是电流还是电压？

MOS管放大的是电压。MOS管是一种场效应晶体管，通过控制栅极上的电压来调节源极和漏极之间的电压，从而实现电压放大的功能。

当栅极上的电压变化时，MOS管内部的电场分布也会发生变化，导致源极和漏极之间的电压变化，从而实现信号的放大。因此，MOS管主要是通过控制电压来放大信号，而不是通过控制电流。这也是为什么MOS管被广泛应用于集成电路中的原因，因为它能够实现高精度的电压放大。

三、晶体管如何放大电流？

晶体管放大电路有三种基本接法：共射、共集、共基。

1、共射放大电路：既能放大电压，又能放大电流，输入电阻居三种电路之中，输出电阻较大，频带较窄，适用于一般放大，即低频电压放大电路的单元电路。

2、共集放大电路：只能放大电流不能放大电压，是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路，因而从信号源索取的电流小且带负载能力强，且具有电压跟随的特点。常用于电压电压放大电路的输入级和输出级。

3、共基放大电路：只能放大电压不能放大电流，输入电阻小，高频特性好，适用于宽频带放大电路。

四、mos管能放大电流吗？

MOS放大器是电压放大器。

它可以将一个很小的输入信号电压放大几十倍甚至上百倍。

它的放大原理简单说来就是，通过放大电路，MOS管的漏极可以输出一个跟随输入信号电压变化的电流。

然后这个电流就在电路中的漏极电阻产生了压降。将这个压降引出就是输出电压。

这个输出电压比输入信号电压扩大了许多倍。

也就是说输入电压得到放大了。

五、单结晶体管是电压放大还是电流放大？

晶体管的电流放大倍数是基极电流IB与集电极电流IC的比值β,β=IC/IB,这个代表三极管的电流控制能力,一般希望稍微大一些...

六、什么是晶体管的电流放大作用?晶体管具有电压放大作用吗？

三极管的基区同时存在两个过程：自由电子向集电结扩散的过程和自由电子与基区空穴复合的过程。其电流放大能力取决于扩散与复合的比例，扩散运动愈是超过复合运动，就有更多的自由电子扩散到集电结，电流放大作用也就愈强。当管子内部的复合与扩散比例确定后，基极电流Ib和集电极电流Ic的比例即确定，Ib增大或减少多少倍，Ic也随之增大或减少多少倍。因为Ib远远小于Ic，故Ib有微小的变化即会引起Ic极大的变化，实现以小电流控制大电流，这就是电流放大作用。

晶体管本身是电流放大元件，但在百电路中电流的变化都可以通过电压表现出来，或者可度以用电压控制电流（输入），用电流控制电专压（输出）。所以准确的说应该是一些晶体管【电路】有放大电压的作用。

七、晶体管的电流放大倍数与放大电路的电压放大倍数有何区别？

晶体管的电流放大倍数是基极电流IB与集电极电流IC的比值β，β=IC/IB，这个代表三极管的电流控制能力，一般希望稍微大一些例如100-1000，有时候为了更大的数值采用达林顿接法，用2个三极管组合在一起使β=5000-10000.放大电路的电压放大倍数是指输出电压与输入电压的比值，A=V0/VI这个数值与β有关系，但是还与三极管的基区电阻rbe和集电极电阻RC、负载电阻RL有关，对于共发射极放大电路来说，A=β*RL`/rbe,其中RL`=RC//RL,rbe=300+(1+β）26/IE,一般rbe大约在1K欧姆左右。

八、mos管放大原理？

MOS管就是场效应管,场效应管是一种重要电子元件，现在被广泛使用,他具有和以前的电子管一样的特性,是一种电压控制元件,依靠电压信号进行放大,原理是依靠一个信号控制导电构宽度从而控制导电性.场效应管具有三个接脚.

九、放大电路中,是否晶体管的β值越大,电压放大倍数越大？

在无负反馈的电路中，电流放大系数越大，电压放大倍数也越大。在深度负反馈的作用下，电压放大倍数和电流放大系数的关联关系在削弱。

十、晶体管放大器的电压放大倍数一般多少？

晶体管的电流放大倍数是基极电流IB与集电极电流IC的比值β，β=IC/IB，这个代表三极管的电流控制能力，一般希望稍微大一些例如100-1000，有时候为了更大的数值采用达林顿接法，用2个三极管组合在一起使β=5000-10000.

放大电路的电压放大倍数是指输出电压与输入电压的比值，A=V0/VI

这个数值与β有关系，但是还与三极管的基区电阻rbe和集电极电阻RC、负载电阻RL有关。