cmos门电路的原理？

一、cmos门电路的原理？

CMOS门电路一般是由MOS管构成,由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔,在直流状态下,栅极无电流,所以静态时栅极不取电流,输入电平与外接电阻无关。

MOS逻辑门电路是继TTL之后发展起来的另一种应用广泛的数字集成电路。由于它功耗低、抗干扰能力强、工艺简单，几乎所有的大规模、超大规模数字集成器件都采用MOS工艺。

二、CMOS门电路的特点？

coms集成电路是用MOS管，而TTL电路是用三极管。

所以COMS电路功耗低、适用电压范围宽，高低电平接近理想曲线，由于输入阻抗高，输入端悬空容易受到干扰，不能悬空。

COMS速度比TTL低，只要速度够用，设计电路就应该选择COMS器件。

三、mos门电路和cmos门电路区别？

MOS

半导体或称MOS传感器是一种早期的和不是很贵的便携式测量仪器。它也可以检测大多数的化学物质。但他们的局限性还是限制了它们在应急事故中的广泛应用。

它们的灵敏度很差，一般的检出限度大约为10PPM。

它们的输出是非线性的，这样就会影响它们的精确度。MOS仅仅是一种各种有毒气体和蒸汽的粗略检测器，依据它们的非线性输出得到的可以或不可以进入的决定是很危险的，因为这种输出更像用一条米尺测量一张纸的厚度。

相对于PID，MOS的响应时间要慢一些。

MOS传感器更易受到温度和湿度的影响。

它们很容易被中毒并且不容易清洗。

MOS传感器是一种“宽带”检测器，它们会对各种不同类型的化合 CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元.相对于其他逻辑系列,CMOS逻辑电路具有一下优点: 1.允许的电源电压范围宽,方便电源电路的设计 2.逻辑摆幅大,使电路抗干扰能力强 3.静态功耗低 4.隔离栅结构使CMOS期间的输入电阻极大,从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多 .

CMOS是主板上一块可读写的RAM芯片，用于保存当前系统的硬件配置信息和用户设定的某些参数。CMOSRAM由主板上的电池供电，即使系统掉电信息也不会丢失。对CMOS中各项参数的设定和更新可通过开机时特定的按键实现（一般是Del键）。进入BIOS设置程序可对CMOS进行设置。一般CMOS设置习惯上也被叫做BIOS设置。

四、CMOS门电路的典型特点？

1.CMOS集成电路功耗低

　　CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。实际上，由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20mW，动态功耗（在1MHz工作频率时）也仅为几mW。

　　2.CMOS集成电路工作电压范围宽

　　CMOS集成电路供电简单，供电电源体积小，基本上不需稳压。国产CC4000系列的集成电路，可在3~18V电压下正常工作。

　　3.CMOS集成电路逻辑摆幅大

　　CMOS集成电路的逻辑高电平“1”、逻辑低电平“0”分别接近于电源高电位VDD及电影低电位VSS。当VDD=15V，VSS=0V时，输出逻辑摆幅近似15V。因此，CMOS集成电路的电压电压利用系数在各类集成电路中指标是较高的。

　　4.CMOS集成电路抗干扰能力强

　　CMOS集成电路的电压噪声容限的典型值为电源电压的45%，保证值为电源电压的30%。随着电源电压的增加，噪声容限电压的绝对值将成比例增加。对于VDD=15V的供电电压（当VSS=0V时），电路将有7V左右的噪声容限。

　　5.CMOS集成电路输入阻抗高

　　CMOS集成电路的输入端一般都是由保护二极管和串联电阻构成的保护网络，故比一般场效应管的输入电阻稍小，但在正常工作电压范围内，这些保护二极管均处于反向偏置状态，直流输入阻抗取决于这些二极管的泄露电流，通常情况下，等效输入阻抗高达103~1011Ω，因此CMOS集成电路几乎不消耗驱动电路的功率。

　　6.CMOS集成电路温度稳定性能好

　　由于CMOS集成电路的功耗很低，内部发热量少，而且，CMOS电路线路结构和电气参数都具有对称性，在温度环境发生变化时，某些参数能起到自动补偿作用，因而CMOS集成电路的温度特性非常好。一般陶瓷金属封装的电路，工作温度为-55~+125℃;塑料封装的电路工作温度范围为-45~+85℃。

　　7.CMOS集成电路扇出能力强

　　扇出能力是用电路输出端所能带动的输入端数来表示的。由于CMOS集成电路的输入阻抗极高，因此电路的输出能力受输入电容的限制，但是，当CMOS集成电路用来驱动同类型，如不考虑速度，一般可以驱动50个以上的输入端。

　　8.CMOS集成电路抗辐射能力强　　CMOS集成电路中的基本器件是MOS晶体管，属于多数载流子导电器件。各种射线、辐射对其导电性能的影响都有限，因而特别适用于制作航天及核实验设备。

　　9.CMOS集成电路可控性好

　　CMOS集成电路输出波形的上升和下降时间可以控制，其输出的上升和下降时间的典型值为电路传输延迟时间的125%~140%。

　　10.CMOS集成电路接口方便

　　因为CMOS集成电路的输入阻抗高和输出摆幅大，所以易于被其他电路所驱动，也容易驱动其他类型的电路或器件

五、cmos集成电路的阈值电压？

在数／模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一。针对传统电路产生的基准电压易受电源电压和温度影响的缺点，提出一种新的设计方案，电路中不使用双极晶体管，利用PMOS和NMOS的阈值电压产生两个独立于电源电压和晶体管迁移率的负温度系数电压，通过将其相减抵消温度系数，从而得到任意大小的零温度系数基准电压值。该设计方案基于某公司0.5μm CMOS工艺设计，经HSpice仿真验证表明，各项指标均已达到设计要求。

　　电压基准是混合信号电路设计中一个非常重要的组成单元，它广泛应用于振荡器、锁相环、稳压器、ADC，DAC等电路中。产生基准的目的是建立一个与工艺和电源电压无关、不随温度变化的直流电压。目前最常见的实现方式是带隙（Bandgap）电压基准，它是利用一个正温度系数电压与一个负温度系数电压加权求和来获得零温度系数的基准电压。但是，在这种设计中，由于正温度系数的电压一般都是通过晶体管的be结压差得到的，负温度系数电压则直接利用晶体管的be 结电压。由于晶体管固有的温度特性使其具有以下局限性：

　　（1）CMOS工艺中对寄生晶体管的参数描述不十分明确；

　　（2）寄生晶体管基极接地的接法使其只能输出固定的电压；

　　（3）在整个温度区间内，由于Vbe和温度的非线性关系，当需要输出精确的基准电压时要进行相应的曲率补偿。

　　为了解决这些问题，提出一种基于CMOS阈值电压的基准设计方案。它巧妙利用PMOS和NMOS阈值电压的温度特性，合成产生与温度无关的电压基准，整个电路不使用双极晶体管，克服了非线性的温度因子，并能产生任意大小的基准电压值。

六、cmos门电路输出结构？

门电路的三态

　　高电平1，低电平0，高阻态（就是高阻抗，电阻很大，相当于引脚悬空或者开路），高阻态的意义在于实际电路中不可能断开电路。

　　三态电路的输出逻辑状态的控制，是通过一个输入引脚实现的，三态门都有一个EN控制使能端，来控制门电路的通断。 可以具备这三种状态的器件就叫做三态器件。当EN有效时，三态电路呈现正常的【0】或【1】的输出；当EN无效时，三态电路给出高阻态输出。

七、cmos门电路有哪些？

MOS管 MOS管又分为两种类型：N型和P型。

以N型管为例，2端为控制端，称为“栅极”;3端通常接地，称为“源极”;源极电压记作Vss，1端接正电压，称为“漏极”，漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通，栅极2上要加高电平。

对P型管，栅极、源极、漏极分别为5端、4端、6端。要使4端与6端导通，栅极5要加低电平。

在CMOS工艺制成的逻辑器件或单片机中，N型管与P型管往往是成对出现的。同时出现的这两个CMOS管，任何时候，只要一只导通，另一只则不导通(即“截止”或“关断”)，所以称为“互补型CMOS管”。

八、CMOS电路与门电路的区别？

CMOS电路是电路中构成电子元件的性质，门电路是电路的形式。门电路可以有CMOS电路构成，也可以有非CMOS电路构成。

九、cmos反相器阈值电压的作用？

反相器电路输出电压所代表的逻辑电平与输入相反。反相器可以仅用一个NMOS晶体管或一个PMOS连接一个电阻来构建。因为这种“阻性漏极”方式只需要使用一种类型的晶体管，其制造成本非常小。不过，由于电流以两种状态之一流过电阻，这种阻性漏极配置有功耗和状态改变的处理速率问题。另外，反相器可以用两个互补晶体管配置成CMOS反相器。这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中，两个晶体管中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高，因为与NMOS型和PMOS型反相器相比，CMOS反相器的电阻相对较低。反相器也可以电阻－晶体管逻辑（RTL）或晶体管－晶体管逻辑（TTL）使用三极管（BJT）构建。

反相器性能常用表示输入-输出电压关系的电压传输特性曲线（VTC）来测定。曲线图能反映出元件的参数，包括噪声容限、增益和操作逻辑电平。

北卡罗来纳州立大学组建的20微米反相器的电压传输特性曲线

反相器理想化的电压传输特性曲线是单位阶跃函数，这表明反相器能在高电平和低电平间无延迟精确的翻转，但在实际元件中，曲线存在过渡区。曲线表明若输入为低电压，则输出为高电压；若输入为高电压，则输出电压逐渐接近0V。过渡区的斜率是性能测量的指标，过渡区越陡峭，即斜率越大，性能越好，若斜率接近无穷，则电路能在高电平和低电平间精确翻转，反相器就是理想的。

噪声容限可以通过每一工作区中的最大输出电压VOH和最小输入电压VIL的比值来测定。

输出电压VOH可以在级联多个元件时测定信号驱动强度。

十、cmos门电路的输入电阻？

在高阻态时，cmos门电路的输入电阻是无限大的。