逻辑电平原理?
一、逻辑电平原理?
逻辑电平是指一种可以产生信号的状态,通常由信号与地线之间的电位差来体现。逻辑电平的浮动范围由逻辑家族中不同器件的特性所决定。
二、逻辑电平变换的原则?
1、常逻辑电平间的转换方法:
(1) 晶体管+上拉电阻法 就是一个双极型三极管或 MOSFET,C/D极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平大致就是正电源电平。
(2) OC/OD 器件+上拉电阻法 跟第一种方法类似。适用于器件输出刚好为 OC/OD (集电极开路漏极开路的场合。
(3) 74xHCT系列芯片升压 (3.3V→5V) 凡是输入与 5V TTL 电平兼容的 5V CMOS 器件都可以用作 3.3V→5V 电平转换。——这是由于 3.3V CMOS 的电平刚好和5V TTL电平兼容(巧合),而 CMOS 的输出电平总是接近电源电平的。
廉价的选择如 74xHCT(HCT/AHCT/VHCT/AHCT1G/VHCT1G/...) 系列 (那个字母 T 就表示 TTL 兼容)。
(4) 超限输入降压法 (5V→3.3V, 3.3V→1.8V, ...) 凡是允许输入电平超过电源的逻辑器件,都可以用作降低电平。
这里的"超限"是指超过电源,许多较古老的器件都不允许输入电压超过电源,但越来越多的新器件取消了这个限制 (改变了输入级保护电路)。
例如,74AHC/VHC 系列芯片,其手册中明确注明"输入电压范围为0~5.5V",如果采用 3.3V 供电,就可以实现 5V→3.3V 电平转换。
(5) 专用电平转换芯片 最著名的就是 164245,不仅可以用作升压/降压,而且允许两边电源不同步。这是最通用的电平转换方案,但是也是很昂贵的 (我前不久买还是¥45/片,虽是零售,也贵的吓人),因此若非必要,最好不要用这种方案。
(6) 电阻分压法最简单的降低电平的方法。5V电平,经1.6k+3.3k电阻分压,就是3.3V。
(7) 限流电阻法 如果嫌上面的两个电阻太多,有时还可以只串联一个限流电阻。某些芯片虽然原则上不允许输入电平超过电源,但只要串联一个限流电阻,保证输入保护电流不超过极限(如 74HC 系列为 20mA),仍然是安全的。
(8) 无为而无不为法 只要掌握了电平兼容的规律。某些场合,根本就不需要特别的转换。例如,电路中用到了某种 5V 逻辑器件,其输入是 3.3V 电平,只要在选择器件时选择输入为 TTL 兼容的,就不需要任何转换,这相当于隐含适用了方法3)。
(9) 比较器法 算是凑数,有人提出用这个而已,还有什么运放法就太恶搞了。
2. 电平转换的"五要素"
(1) 电平兼容 解决电平转换问题,最根本的就是要解决逻辑器件接口的电平兼容问题。而电平兼容原则就两条:
VOH > VIH
VOL < VIL
再简单不过了!当然,考虑抗干扰能力,还必须有一定的噪声容限:
|VOH-VIH| > VN+
|VOL-VIL| > VN-
其中,VN+和VN-表示正负噪声容限。只要掌握这个原则,熟悉各类器件的输入输出特性,可以很自然地找到合理方案,如前面的方案(3)(4)都是正确利用器件输入特性的例子。
(2) 电源次序 多电源系统必须注意的问题。某些器件不允许输入电平超过电源,如果没有电源时就加上输入,很可能损坏芯片。这种场合性能最好的办法可能就是方案(5)——164245。如果速度允许,方案(1)(7)也可以考虑。
(3) 速度/频率 某些转换方式影响工作速度,所以必须注意。像方案(1)(2)(6)(7),由于电阻的存在,通过电阻给负载电容充电,必然会影响信号跳沿速度。为了提高速度,就必须减小电阻,这又会造成功耗上升。这种场合方案(3)(4)是比较理想的。
(4) 输出驱动能力 如果需要一定的电流驱动能力,方案(1)(2)(6)(7)就都成问题了。这一条跟上一条其实是一致的,因为速度问题的关键就是对负载电容的充电能力。(5) 路数 某些方案元器件较多,或者布线不方便,路数多了就成问题了。例如总线地址和数据的转换,显然应该用方案(3)(4),采用总线缓冲器芯片(245,541,16245...),或者用方案(5)。
(6) 成本&供货 前面说的164245就存在这个问题。"五要素"冒出第6个,因为这是非技术因素,而且太根本了,以至于可以忽略。
三、逻辑电平开关是什么?
就是可以使输出得到高低电平的开关。
常见的逻辑电平:
单端:TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、GTL、BTL、ETL、GTLP、SSTL2-I、SSTL2-II、SSTL3-I、SSTL3-II、HSTL-I、HSTL-II、HSTL-III、HSTL-IV、HSUL_12、POD12、POD10等;
差分:ECL、PECL、LVPECL、LVDS、BLVDS、LP-LVDS、CML、DIFF_HSTL、DIFF_SSTL、DIFF_HSUL、TMDS、PPDS、RSDS等。
TTL逻辑输出形式包括集电极开路输出(OC)、三态门输出(TSL)、复合管(达林顿管)和图腾柱输出。
开路的TTL、CMOS、ECL门分别称为集电极开路(OC)、漏极开路(OD)、发射极开路(OE),使用时OC、OD门需要接阻值合适的上拉电阻,OE门需要接阻值合适的下拉电阻。
四、rs232逻辑电平范围?
RS232接口任何一条信号线的电压均为负逻辑关系。即:逻辑“1”为-3v— -15V;逻辑“0”:+3v— +15V.
五、逻辑电平输出是什么意思?
逻辑电平输出是指一种,可以产生信号的状态,通常由信号与地线之间的电位差来体现。逻辑电平的浮动范围,由逻辑家族中不同器件的特性所决定。
保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平,当输入电平低于Vil时,则认为输入电平为低电平。
六、cmos的逻辑电阻电平是多少?
CMOS电平逻辑电平电压接近于电源电压,0 逻辑电平接近于 0V。而且具有很宽的噪声容限。
TTL电平和CMOS电平总结 1,TTL电平: 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。2,CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。3,电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cms 3.3v),所以互相连接时需要电平的转换4,OC门,即集电极开路门电路。
七、电平和电压的区别?
电压和电平的区别是:电压属于简单的一个模拟量,表示的是两点电位之间的电势差,而电平则是逻辑量,有逻辑高,逻辑低等不同的值,电平其实就是电压的不同电位。
在电力输出系统之中高低电压说的就是1000伏以上的设备或者是装置就是高压,但是如果达不到这个数值,就只能是低压,而在电路上面某个点的电压也可以称之为是高压或者是低压。至于高低电平是电路上某个点的电压的高低,比如在逻辑电路里面,高于某个数值被称之为是高电平,而低于这个数值,就可以称之为是低电平。
八、高电平电压是多少?
高电平电压大于3.5伏,用数字1表示;把电压小于0.3伏的电压规定为逻辑低电平,用数字0表示。数字电平从低电平(数字“0”)变为高电平(数字“1”)的那一瞬间(时刻)叫作上升沿。
数字电路中,把电压的高低用逻辑电平来表示。逻辑电平包括高电平和低电平这两种。
不同的元器件形成的数字电路,电压对应的逻辑电平也不同。
在TTL门电路中,把大于3.5伏的电压规定为逻辑高电平,用数字1表示;把电压小于0.3伏的电压规定为逻辑低电平,用数字0表示。
数字电路中,数字电平从高电平(数字“1”)变为低电平(数字“0”)的那一瞬间叫作下降沿。
高低是相对的。一般原理图或完整的电路中,有一个或多个参考点,相对于当前回路的参考点为基准来说。
例如多为直流电源的负极;局部考虑一输入级相对电位使下级管子或集成电路的门电路正导通时的电位即是高电平,不导通叫低电平。
涉及各电路的“门坎”,高电平和低电平有时是一小范围;有时是电源电压的一半左右为中间量,数字电路高低电平接近正负电源值。
电子电路中高电平是电压高的状态,一般记为1。
电子电路中低电平是电压低的状态,一般记为0。
高低电平的划分对于TTL来说高电平是:2.4V-5.0V。
低电平是:0.0V-0.4V。
对于CMOS来说高电平是:4.99-5.0v。
低电平是:0.0-0.01v。
对于高低电平之间的电压属于不定电压,在这个电压下会使器件工作不稳定。
比如有时电脑开机后有不正常现象,但重新启动后又没问题了。就是因为数字电路有时因为器件遇到了这个不定电压而无法识别发生紊乱。
九、dsp供电电压是多少?输入逻辑高电平可以达到5v吗?
每个芯片的供电都不一样,而且分为内核电压和片外的外设电压,比如C2000多为内核1.8V,外设电压3.3V,所以每个芯片都有对应的手册,去下载一个芯片手册,一般都在第一页的下半部分
十、dsp供电电压是多少?输入逻辑高电平可以达到5v吗?
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