pnp和npn在放大电路中发射极和集电极是？

一、pnp和npn在放大电路中发射极和集电极是？

1、PNP管子是发射极流入后从基极和集电极流出，NPN管子是基极和集电极流入从发射极流出。

2、PNP管子工作在放大区时电压是，Ue>Ub>Uc，NPN管子工作在放大区时电压时Uc>Ub>Ue 。

3、PNP管子：发射极电流  =   集电极电流  +   基极电流 ，NPN管子：集电极电流  =  发射极电流  +   基极电流。

二、S8550这种三极管的发射极-集电极击穿电压是多少？基极电压要多少V，发射极和集电极才能通？

S8550是PNP管，参数：VCBO -40 VVCEO -25 VVEBO -6 VIC -1.5 APC 1 WfT 200MHz发射极集电极间击穿电压为--40V以上，基极和发射极间电压需大于—0.6V C--E才能通。

三、npn型三极管集电极和发射极关系？

NPN型三极管基极与其它两极的正向电阻偏小者为集电极；PNP型二极管基极与其它两极的反向电阻偏小者为集电极。应用上需注意的是：发射极接低电位，集电极接高电位。

三极管正常放大工作时，集电结电压很大，发射结电压很小。发射结两端电压的变化以电流的变化形式体现出来，发射结电流（电压）变化一点点能使集电结电流变化很大。

四、集电极开路和npn的区别？

NPN输出概念比较广，凡是正极性输出的，一般叫做NPN输出，NPN集电极开路输出是NPN输出的一种，是专指负载接在正电源与NPN型晶体管集电极之间的一种方式，属于灌电流驱动模式

五、什么是集电极和发射极？

1、集电极是三极管中，从三个区引出相应的电极，分别为基极b，发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。

　　2、发射极是半导体三极管的电极。一只半导体三极管有三个电极，分别是发射极、基极和集电极。半导体管在工作时要加工作电压，于是就产生了各极电流。半导体三极管在工作时发射极电流等于基极和集电极电流之和，其中基极电流最小，发射极电流最大，在基极加一很小的电流，在集电极就能输出或输入很大的电流，因此三极管有放大作用。三极管主要作用是放大信号，常用在放大电路和振荡电路中。

六、npn和pnp集电极和基极比值？

不一样的。NPN要求基极比发射极高0.3V已上才会导通,集电极的电位高于基极。PNP则是发射极电位最高，基极要比发射极低0.3V才会导通。上面说的0.3V是锗管的理论值，硅管则为0.7V左右。实际值可能更低。

二者构成不同：

PNP型三极管是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管；

NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧

七、igbt的集电极和发射极的电压有正负吗？

有的，有方向性。如果单纯是MOSFET管就没有电压正负之分，相当于电阻，电流从电压高的地方流向电压低的地方，但IGBT的集电极和发射极相当于二极管，有压降，分正负的，否则电流不能流过。IGBT是mos管与BJT的结合，门极电压开通特性及速度与mos管相似，IGBT导通特性则与BJT相似，有饱和导通压降，所以IGBT比较适合用在大功率，开关速率一般的电路。

八、集电极和发射极的判别？

有两种方法进行判定：一种是用二极管挡进行测量，由于晶体三极管的发射区掺杂浓度高于集电区，所以在给发射结和集电结施加正向电压时PN压降不一样大，其中发射结的结压降略高于集电结的结压降，由此判定发射极和集电极。

另一种方法是使用hFE挡来进行判断。在确定了三极管的基极和管型后，将三极管的基极按照基极的位置和管型插入到卢值测量孔中，其他两个引脚插入到余下的三个测量孔中的任意两个，观察显示屏上数据的大小，找出三极管的集电极和发射极，交换位置后再测量一下，观察显示屏数值的大小，反复测量四次，对比观察。以所测的数值最大的一次为准，就是三极管的电流放大系数卢，相对应插孔的电极即是三极管的集电极和发射极。

九、pnp集电极和发射极谁大？

pnp集电极和发射极比大小，从电流角度看是发射极，从电位角度看也是发射极。三极管三个区，发射区发射载流子，集电区收集载流子，所以发射极电流大，发射极电流=集电极电流+基极电流。

若三极管工作在放大状态，发射结正偏，集电结反偏，则要求发射极电位最高，集电极电位最低。

十、为何测试npn晶体管时要将发射极和集电极的极性均为正？

万用表判别三极管引脚极性的原理是：三极管由两个PN结构成，对于NPN型三极管，其基极是两个PN结的公共正极；对于PNP型三极管，其基极是两个PN结的公共负极，由此可以判别三极管的基极和管极型。

根据当加在三极管的发射结电压为正、集电结电压为负时三极管工作在放大状态，此时三极管的穿透电流较大的特点，可以测出三极管的发射极和集电极。