mosfet漏极电压？

一、mosfet漏极电压？

MOS的闯值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个Si表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为闯值电压，它是MOSFET的重要参数之一。

MOS管的國值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于闯值电压，就没有沟道。阚值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为闯值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阔值电压。

二、场效应管漏极，源极，栅极的作用？

场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。

场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件. 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好. 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.

三、mos管源极和漏极电压？

一、指代不同

1、源极：简称场效应管。仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。

2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，或驱动比芯片电源电压高的负载。

二、原理不同

1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(用P+表示)，就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型半导体的两端各引出一个电极。

2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

MOS管的定义：我们都在知道场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，其用P+表示，形成两个P+N结。

四、场效应管，什么叫漏极开路输出？

漏极开路是驱动电路的输出MOS管的漏极开路，可以通过外接的上拉电阻提高驱动能力。

这种输出用的是一个场效应三极管或金属氧化物管（MOS），这个管子的栅极和输入连接，源极接公共端，漏极悬空（开路）什么也没有接，因此使用时需要接一个适当阻值的电阻到电源，才能使这个管子正常工作，这个电阻就叫上拉电阻。漏极开路输出，一般情况下都需要外接上拉电阻，才能输出高电平，例如，在有些芯片的引脚就定义为漏极开路输出；还有一些带漏极开路输出的反向器等都需要外接上拉电阻才能正常工作。对于漏极开路（OD）输出，跟集电极开路输出是十分类似的。将上面的三极管换成场效应管即可。这样集电极就变成了漏极，OC就变成了OD，原理分析是一样的。

五、场效应管栅极和漏极电压过高会不会引起击穿呢？

当然会击穿了，谁告诉你通常只考虑栅源电源了，漏源电压就不考虑？没有像你说的考虑栅漏电压的，厂家给出的都是漏源的耐压值，在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压，还有就是耐流。

栅源电压是管子的驱动电压，一般15V-20V

六、mos管导通的漏极电压？

漏极电压与源极电压相同

普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

七、mos管漏极没电压能开通嘛？

MOS管有两种一种是不加电压他就导通的，加的电压越高导通越弱，到一定程度就不导通了，这种管子在电路中很少出现的还有一种是不加电是不导通的，加的电压越高电流越大，这种管子在电路中非常常见，

八、n沟道结型场效应管的漏极电流由？

场效应管的漏极电流是由多子自由电子和少子空穴的漂移运动形成。

结型场效应晶体管是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极d，源极s。

九、电源电压vdd和源漏极电压vds有什么区别？

对于单端正激电路，VDS和你设计过程中所采用的最大工作占空比有关系。

因为要考虑变压器磁通平衡。所以去磁的伏秒积要等于激磁的伏秒积。那么(VDS-VIN)*(1-Dmax)=VIN*Dmax这是理论上的VDS最小值。实际的电路中，因为变压器存在漏感，VDS的值会比这个更高。对于双端正激电路，因为电路结构的箝位设计，VDS理论上的就是等于输入电压，最大占空比不能大于0.5。

十、场效应管一般g极导通电压多少？

一般2至10V之间。依型号不同具体参数有差别，使用时要注意如果G极驱动电压不够，场效应管发热严重。