pn结的开启电压？

一、pn结的开启电压？

开启电压(VF)与击穿电压(VBR)的定义

业界是通过加电流测试电压的方法来定义VF与VBR

具体方法如下

1),测试VF

对PN结正向加一测试电流,测试PN结两端的电压,测试得到的电压值即为VF

2),测试VBR

对PN结反向加一测试电流,测试PN结两端的电压,测试得到的电压值即为VBR

正向 反向

IT 1mA 1mA~10mA

见于反向击穿电压与漏电关系的变化,当VBR较小是,ID很大,IT较大,所以IT也是变化的

二、pn结反向电压？

应该是pn结反向裁止

PN结一边是P区，一边是N区，只有P区电位高于N区电位，它才会通，而且有P到N导通，反过来，N电位高于P区，不会导通，称为反向截止。

在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。

N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。

因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。

P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。

当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下,载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽,,耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

三、pn结击穿电压？

对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。

击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时，如没有良好散热条件，将使结的温度上升，反向电流进一步增大，如此反复循环，最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿，此类击穿是永久破坏性的

四、肖特基结击穿电压

肖特基二极管的击穿电压纵向与漂移区的掺杂浓度和厚度有关，横向与结终端有关

五、pn结死区电压？

死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。（硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料，硅管较多，锗管较少）。

在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压，本质上就是二极管的开启电压。

六、pn结电压温度系数？

温度升高时，pn结的正向电流增大、正向压降降低，即正向电流具有正的温度系数，正向压降具有负的温度系数；这主要是由于pn结的势垒高度降低所造成的结果。并且反向电流随着温度的升高也增大，这主要是由于两边少数载流子浓度增大的结果。

击穿电压的温度特性：温度升高后，晶格振动加剧，致使载流子运动的平 均自由路程缩短，碰撞前动能减小，必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数，但温度升高，共价键中的价电子能量状态高，从而齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。

七、pn结正向电压接法？

二极管的正向接法就是，正电位接二极管的正极，负电位接二极管的负极。即电路原理上，让二极管的正极处于高电位，负极处于低电位的接法，就是二极管的正向接法。

二极管存在着正向最大电流的限制；存在着反向电压的最大值限制；现在的二极管基本都出现在整流电路当中和集成线路当中。

扩展资料：

导电特性

二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。

1、正向特性

在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。

2、反向特性

在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

工作原理

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

八、二极管结电压

二极管结电压的应用及计算方法

二极管结电压是一个非常重要的概念，它关系到二极管的性能和应用。本文将介绍二极管结电压的应用及计算方法，帮助读者更好地理解和应用二极管。

一、二极管结电压的定义

二极管结电压是指二极管内部PN结的电压降，通常在0.6～0.7V左右。当有电流通过PN结时，就会产生一定的电压降，这个电压降就是二极管的结电压。

二、二极管结电压的应用

1. 整流电路：利用二极管的单向导电性，可以将交流电转换为直流电，此时二极管的结电压起到了关键的作用。

2. 限幅电路：二极管结电压可以有效地限制信号幅度，保护其他电路不受过大的信号电压影响。

3. 稳压电路：通过串联多个二极管，可以组成稳压电路，利用二极管的电压调整作用，稳定电路中的电压。

三、二极管结电压的计算方法

二极管结电压的计算方法并不复杂，通常可以根据二极管的型号和参数进行估算。具体来说，可以根据二极管的PN结面积和电流大小来估算二极管的结电压。

一般情况下，结面积越大、电流越大，结电压也就越高。需要注意的是，不同的二极管品牌和型号，其结电压可能会有所不同，因此在实际应用中需要具体情况具体分析。

总的来说，二极管结电压是二极管的重要参数之一，了解和应用好这个参数，可以更好地发挥二极管的作用，提高电路的性能和稳定性。

参考资料

1. 二极管说明书

2. 电子电路相关书籍

九、pn结中间的电压叫什么？

PN结是将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

PN结的正向电压是P区接电源的正极，N区接电源的负极。PN结接正向电压时，会形成方向从P指向N的外电场，这个外电场的方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场的作用，使漂移运动和扩散运动的平衡被打破，扩散运动加强。

十、pn结开路电压测量原理？

pn的测量原理：

pn的测量原理由半导体理论可知，在正向恒流供电条件下，pn的测量的正向压降与绝对温度T有线性关系，即正向压降几乎随温度升高而线性下降，这就是PN结测温的理论依据。

pn的测量所以做温度传感器时，要注意施加正向恒流，例如10uA,这样才会比较准确，如果只加正向电压，那么准确性就下降了。

pn的测量采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。pn的测量具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

pn的测量是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。

pn的测量在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。

pn的测量在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。pn的测量由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。

pn的测量在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。pn的测量显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。