硅管的导通电压的影响因素？

一、硅管的导通电压的影响因素？

首先，导通电压和材料有关。通常，硅二极管的阈值电压约为0.5V~0.6V，锗二极管的阈值电压约为0.1V~0.2V。精确计算请查阅规格书，粗略估算可直接用0.7V（硅管）。

其次，导通电压和温度有关，和二极管的负温度特性类似。高温时，三极管的导通电压阈值会变小；低温时，三极管的导通阈值电压会变高。相对常温，温度系数估算为 -（2～2.5）mV/℃，需要精确的数据，规格书上有温度曲线的。

最后，需要注意的是，大功率的三极管的导通电压会远大于0.7V，这种管子的电流大，放大倍数低，导通电压高，一般需要一个额外的小功率三极管来驱动它，接成达林顿方式。

二、硅二极管导通电压

硅二极管导通电压的介绍

在电子技术中，硅二极管是一个重要的元件，它的导通电压是一个关键参数。导通电压是指二极管导通时所需的电压，这个电压值对于理解二极管的特性至关重要。

导通电压的测量方法

测量硅二极管的导通电压通常需要使用万用表。首先，你需要将万用表调到正确的电阻档位，然后根据二极管的正负极连接到正确的引脚上。注意，你应该始终使用正确的正负极连接，否则可能会导致二极管损坏。

导通电压与温度的关系

硅二极管的导通电压也会随着温度的变化而变化。当温度升高时，导通电压通常会降低。这是因为二极管内部的PN结在高温下会变得更加导通。因此，在高温环境下使用二极管时，需要特别注意它的导通电压是否正常。

导通电压对电路的影响

硅二极管的导通电压会影响到整个电路的工作状态。如果导通电压过高，电路可能无法正常工作。反之，如果导通电压过低，电路可能会受到反向击穿的危险。因此，正确选择和配置硅二极管是至关重要的。

总结

硅二极管的导通电压是理解其特性的关键参数。测量导通电压需要使用万用表，并且需要注意温度的影响。正确的选择和配置硅二极管对于确保电路的正常工作至关重要。

三、mos管导通的最低电压？

MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。

一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。

开关只有两种状态通和断，三极管和MOS管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。

四、mos管导通的漏极电压？

漏极电压与源极电压相同

普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

五、mos管导通后电压要求？

只要维持导通电压即可

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。

六、硅管的导通电压是多少？为什么？

电器产品中不可少的二、三极管，就外型欲确定其是锗管或硅管是不科学的，最正确的就是测电压，通常情况正下，硅管的导通电压不低于0.7V，锗管0.3V。锗管近年来用的少了，硅管成了电器产品的主角，正常的一硅三极管，如b极无0.7V以上电压，是很难维持导通状态的。

七、如何测开关管导通状态的电压？

开关管的导通必须有一定的触发电压，比如一个三极管开关电路，触发电压是加在三极管的基极和地之间的电压，所以要测量开关三极管导通状态的触发电压，在三极管导通状态条件下，测量三极管的基极和地之间的电压即可。

八、稳压管电压多少伏导通？

稳压管在二极管家族里是一个特殊的一员，它是工作在反向电压才能工作，原理是当反向施加电压达到某一值时它的导通电流急剧增加，两端的电压确不再增加稳定在一个值上。导通电压是多少，这要看它的系列和序号。在电子电路中稳压值从3v－12v的居多。

九、nmos管导通后各管脚电压？

漏源电压基本一致，栅级与源极相差0.7v左右。

十、mos管导通后各极电压？

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

MOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：

VGS

|VGS|>|VTP (PMOS)|

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。