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什么是并联振谐?

电容 2024-08-22 19:02

一、什么是并联振谐?

并联谐振是指在电阻、电容、电感并联电路中,出现电路端电压和总电流同相位的现象。特点:并联谐振是一种完全的补偿,电源无需提供无功功率,只提供电阻所需要的有功功率,谐振时,电路的总电流最小,而支路电流往往大于电路中的总电流,因此,并联谐振也叫电流谐振。

并联谐振的电路特点

1.电压一定时,谐振时电流最小;

2.总阻抗最大;

3.电路成电阻性,支路电流可能会大于总电流。

通过对电路谐振的分析,掌握谐振电路的特点,再生产实践中,应该用其所长,避其所短。

二、扬声器振谐频率是什么?

是的,就是F0,也称共振频率。有人称F零(数字),有人叫FO(字母)。

在T/S参数称,也记为Fs。

F0的定义是:扬声器阻抗曲线上,低频段出现一个阻抗最大值,此阻抗对应的频率称之为扬声器的共(谐)振频率,记为FO,即在阻抗曲线上扬声器阻抗模值随频率上升的第一个主峰对应的频率。

共振频率与扬声器的质量和顺性有关,即振动系统的质量愈大,纸盆折环、定心动片愈柔软,则顺性愈大,共振频率愈低,反之共振频率愈高。写成公式为FO=1/2πSQRT(1/m*c)式中 m——振动系统的质量;c——振动系统的顺性。

三、晶振电容位置?

电容应尽量靠近晶振引脚(频率输入脚与频率输出脚)设计。

晶振核心部件为石英晶体,容易受外力撞击或跌落影响而破碎。在PCB布线时最好不要把晶振设计在PCB边缘,尽量使其靠近芯片。

晶振走线需要用GND保护稳妥,远离敏感信号源,如RF及高速信号,以免频率信号受到干扰。

晶振位置远离热力源,高温会造成晶振频率偏差,因为石英晶体具有“温漂”物理特性。

四、8mhz晶振的起振电容?

8M匹配的负载电容可以有9PF,12PF,16PF,20PF,如果是外接电容那么至少要大一倍。

8MHz=8*10^3KHz=8*10^6Hz,即8百万Hz。

晶振,即所谓石英晶体谐振器和石英晶体振荡器的统称,它是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片),石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振;而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

五、小振膜电容麦推荐?

小振膜电容麦是将电容麦的膜电容原理和小型机械振荡结合起来的特殊麦克风,非常适合录制用于音频混音、乐器演奏和专辑录音等高品质音频设备,提供出色的音质。

相比单纯使用电容麦,小振膜电容麦更能保护音频周围杂音,也更适合录制大声量的音乐演奏。

它也能够降低漫射性噪声,特别在大规模现场演出活动中受到欢迎。

六、电容和晶振的区别?

电容是指在给定电位差下的电荷储藏量。

晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作,以提供稳定,精确的单频振荡。

电容亦称作“电容量”,是指在给定电位差下的电荷储藏量,记为C,国际单位是法(F)。一般来说,电荷在电场中会受力而移动,当导体之间有了介质,则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上,造成电荷的累积储存,储存的电荷量则称为电容。

晶振是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振。

七、晶振和电容哪个好?

晶振和电容都好,晶振可以振荡,电容可以储能。

八、晶振负载电容选多少?

负载电容的大小不是固定的,需要晶振的规格要求而定,晶振的规格书都标有负载电容的要求,一定要看清楚规格书,选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF,晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了

选择负载电容的要注意事项:

选择NPO/G0G材质,温度和高频特性更好

公差当然是尽量选择小的,最好选择2%或者1%的。

九、晶振怎么配电容呢?

晶振配电容芯片晶振引脚的内部通常是一个反相器,芯片晶振的两个引脚之间还需要连接一个电阻,使反相器在振荡初始时处与线性状态,但这个电阻一般集成在芯片的内部,反相器就好像一个有很大增益的放大器,为了方便起振,晶振连接在芯片晶振引脚的输入和输出之间,等效为一个并联谐振回路, 振荡的频率就是石英晶振的并联谐振频率。

晶振旁边的两个电容需要接地,,其实就是电容三点式电路的分压电容,接地点就是分压点,以分压点为参考点,振荡引脚的输入和输出是反相的,但从晶振两端来看,形成一个正反馈来保证电路能够持续振荡。

十、晶振电容大小选取规则?

负载电容的大小不是固定的,需要晶振的规格要求而定,晶振的规格书都标有负载电容的要求,一定要看清楚规格书,选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF,晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了

选择负载电容的要注意事项:

选择NPO/G0G材质,温度和高频特性更好

公差当然是尽量选择小的,最好选择2%或者1%的。