充电饱和电路原理？

一、充电饱和电路原理？

1.恒流、限压、充电电路。该部分由02、R6、R8、ZD2、R9、R10和R13等元件组成。当接通市电叫，开关变压器T1次级感应出交流电压。经D4、C4整流滤波后提供约12.5V直流电压。一路通过R6、R1l、R14、LED3(FuL饱和指示灯)和R15形成回路，LED3点亮，表示待充状态：另一路电压通过R8限流，ZD2(5V1)稳压，再由并联的R9、R10和R13分压为Q2b极提供偏置，使Q2处于导通预充状态。恒流源机构由Q2与其基极分压电阻和ZD2等元件组成。当装入被充电池时12.5V电压即通过R6限流，经Q2的c—e极对电池恒流充电。这时由于Ul(Ul为软封装IC型号不详)与R6并联。R6两端的电压降使其①脚电位高于③脚，②脚就输出每秒约两个负脉冲。

二、bjt饱和区解释？

因为BJT是电流驱动的器件，则其饱和状态就是指电流较大、而电压饱和（基本恒定不变）的一种工作模式.BJT在饱和状态工作时，发射结和集电结都处于正偏，则导电很好、电流较大，这时输出的集电极电流Ic只决定于外电路的参量（Ic=Vcc/RL，式中的Vcc是电源电压，RL是负载电阻），而与输入电流无关（即这时已离开了放大状态）;该状态是输出电流大、输出电压低的工作模式，相应于开关的开态.

在BJT的发射极正偏、集电结0偏时，晶体管仍然处于放大状态（输出电流正比于输入电流），但是输出电流已经达到了最大；这时只要集电结电压稍微增大一点而正偏的话，那么晶体管就进入到饱和状态（输出电流与输入电流无关，而由外电路参量决定）。所以把这种发射极正偏、集电结0偏的状态特称为临界饱和状态。

在BJT的输出伏安特性曲线上，饱和状态即是处在紧靠纵轴（电流轴）的一个小范围内.BJT在饱和状态工作时，总是希望该饱和范围越小越好，即要求输出电压——饱和压降越低越好。因为饱和压降直接关系到集电极串联电阻，故为了降低饱和压降，就需要提高集电区掺杂浓度；但为了提高提高击穿电压，又需要减小集电区掺杂浓度，这是一个矛盾。为解决此矛盾，就发展出了外延片的技术，即是在低阻衬底上生长一层薄的较高电阻率的外延层，然后在外延层上制作BJT;对于集成电路中的BJT来说，因为所有的电极都需要从芯片表面引出，因此在外延的基础上，还需要通过在器件有源区下面加设低阻埋层来减小集电极串联电阻。总之，在集成电路芯片中采用外延层和埋层的目的，都是为了在保持较高击穿电压的条件下来减小集电极串联电阻、以降低饱和压降.

三、怎么判断电路放大饱和截止？

在双极型三极管构成的电路中，当三极管的发射结正偏集电结也正偏时，电路处于饱和状态，此时ⅤCE为饱和压降，当三极管的发射结反偏集电结也反偏时，三极管处于截止状态，此时基极电流和集电极电流都为0。

四、nmos饱和区变阻区条件？

在NMOS场效应晶体管的饱和区，存在以下条件：栅极与源极之间的电压高于门源阈值电压，漏极电压小于或等于电源电压减去阈值电压，且漏极电流饱和且与电压关系较小。

这是因为在饱和区，电子从源区流向漏区，形成沟道，电压高于阈值电压时，沟道完全形成，导致漏电流饱和。当漏极电压小于或等于电源电压减去阈值电压时，沟道长度不再受电压控制，使电流几乎不再随电压变化，进入变阻区。

五、p管饱和区条件？

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P管饱和条件：

1.当|Vgs| < |Vt| 时，则PMOS管处于截止区。就是说当栅源电压低于阈值电压时，则管子不导通。

2.当 |Vds| < |Vgs|-|Vth| 时，PMOS管处于三极管区。这时PMOS管相当于一个小的电阻（有的也称为可变电阻区）。

3.当 |Vds| > |Vgs|-|Vth| 时，PMOS管处于饱和区。如果不考虑基区宽度调制效应，我们可以认为漏端电流与Vds无关。

六、mos管有非饱和区,饱和区,击穿区,截止区,那么开关状态工作那个区域呢？

MOS管的4个工作区，你说的不是很确切。

应该是可变电阻区，饱和区，击穿区，夹断区。

开关状态工作在可变电阻区（此区相当于饱和导通）和夹断区（此区相当于截止）。

放大状态工作在饱和区。

注意：MOS管的饱和区和三极管的饱和区，完全不是同一个概念。

七、mos管饱和区与三极管饱和区的区别？

MOS管（金属氧化物半导体场效应管）饱和区和三极管（双极（双极性）晶体管）饱和区是两种不同类型的饱和区，它们的区别如下：

1. 构成：MOS管是一种场效应管，由金属栅极、绝缘层和半导体形成，没有PN结。而三极管是一种双极性晶体管，由NPN或PNP三层结构的半导体材料组成。

2. 控制：MOS管的导电能力是通过栅极电压的变化来控制的，栅极电压改变时，可以改变MOS管导电能力。而三极管的导电能力是通过基极电流的变化来控制的，基极电流改变时，可以改变三极管的导通能力。

3. 饱和区定义：MOS管的饱和区是指栅极和漏极之间的电压已经达到了一定的阈值，且漏极电流基本不再随电压增加而增加的状态。三极管的饱和区是指发射极和基极之间的电压已经达到了一定的阈值，且从集电极到发射极的电流没有进一步增加的状态。

4. 特性：MOS管饱和区的特性具有高阻抗、低功耗和快速开关速度等优点，适用于高频和集成电路应用。而三极管饱和区的特性具有低压降和高电流放大等优点，适用于功率放大和开关电路应用。

总的来说，MOS管饱和区和三极管饱和区是不同类型的饱和区，其形成原理、控制方式和特性都存在差异。在实际应用中，选择合适的器件需要根据具体的电路需求和性能要求进行考虑。

八、分压偏置电路饱和失真怎么调？

答：分压式偏置放大电路出现饱和失真应调节电阻Rb2。

分压式偏置放大电路出现饱和失真说明偏置电流IBQ变大，靠近饱和区。偏置电流IBQ与基极电压UB成正比关系，降低电压UB就可以减小电流IBQ。而基极电压。

从上式可知，减小Rb2可使分母增大，可使分数值减小，即电压UB减小，进而使电流IBQ减小，减小饱和失真。

九、乙类功率放大电路饱和失真吗？

一般乙类放大器失真情况比较多，主要有线性失真，表现为上下两个半波形不对称。另外再有交越失真，表现为上下两个半波在连接处出现各种形状的过冲波形。还有削顶失真，就是波形顶端为平直波形。这些都是需要制作经验来改进，能够制作优质放大器不是容易事情。

十、如何消除积分电路的饱和现象？

①采用比例控制器

这是防积分饱和的最简单的方法，但会使系统产生静差。因此，该方法作为防积分饱和措施而言是很少采用的，也不值得推荐。

②采用限幅装置

采用某种形式的限幅是防积分饱和的另一种方法。工业上应用的气动控制器都配有限幅装置。根据限幅装置的限幅范围，可使控制器的输出不超越控制器所限定的输出范围。严格地说，这种输出限幅并不是真正的防积分饱和，只是限幅装置把送给控制阀的信号限制住而已，并不能改善克服反向扰动的控制品质。

③对现有的PI控制器进行改进

许多控制器的积分网络与控制器的输出是固定的内部联系。现可用外部接线加以改进。

④采用PD控制器

这是较为实用的方法。采用PD控制器能减少超调，与纯比例控制器相比，还能减少系统的静差，但不能消除静差。如允许有较小静差时，则采用PD将优先于PI,即不存在积分饱和问题。

⑤采用串联PID控制器

当负荷和设定值可能发生变化，而超调和静差又不允许存在时，解决积分饱和的最好办法是采用串联PID控制器。