ttl cmos集成门电路使用规则？

一、ttl cmos集成门电路使用规则？

1、主要注意TTL和CMOS门电路闲置端的处理，书上应该都有，如果找不着你在问我。

2、OC门的线与功能和三态门的使用。

3、门电路输入端接电阻是相当于高电平还是低电平，比如大于开门电阻就是高电平，小于开门电阻就是低电平。 但是一般这些都不会直接问你，都是以图的形式给出，然后问表达式。一般就是选择或填空题。

二、ttl门电路和cmos门电路逻辑表达式？

TTL门电路的输入端悬空时相当于高电平输入输入端接有电阻时其电阻阻值大于1.4K时该端也相当于高电平电阻值小于0.8K时该端才是低电平。 而CMOS逻辑门电路输入端不管是接大电阻还是接小电阻该端都相当于低电平即地电位。按照这个原则判断很清晰了

三、cmos和ttl区别？

cmos是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的。

TTL是 Time To Live的缩写，该字段指定IP包被路由器丢弃之前允许通过的最大网段数量。

四、TTL和CMOS的区别？

题主认识有误。传统的CMOS电路供电电压不知道比TTL电路高到哪里去了！

早先时代CMOS电压比TTL低就是伪命题!TTL工作为5V电压主要因为TTL射极跟随输出高电平。因此输出电平最高也就是VCC-0.6V。

因为TTL输出能力是高弱低强，输入电流也较高，导致TTL电路扇出能力较弱，需要高一些的噪声容限。因此设计5V供电电压较为合适。

早期CMOS电路栅极阈值电压较高，一般为4V~10V，因此早期CMOS电路为正常工作，必须使用高压。如CD4000系列从5V~20V均可工作。

高压能让CMOS电路获得更大的噪声容限，但是也让CMOS电路拥有速度较慢的问题。

直到解决了栅极阈值电压的问题后，CMOS电路的工作电压才大大降低到低于5V，3.3V直到最先进的0.9V。

五、mos门电路和cmos门电路区别？

MOS

半导体或称MOS传感器是一种早期的和不是很贵的便携式测量仪器。它也可以检测大多数的化学物质。但他们的局限性还是限制了它们在应急事故中的广泛应用。

它们的灵敏度很差，一般的检出限度大约为10PPM。

它们的输出是非线性的，这样就会影响它们的精确度。MOS仅仅是一种各种有毒气体和蒸汽的粗略检测器，依据它们的非线性输出得到的可以或不可以进入的决定是很危险的，因为这种输出更像用一条米尺测量一张纸的厚度。

相对于PID，MOS的响应时间要慢一些。

MOS传感器更易受到温度和湿度的影响。

它们很容易被中毒并且不容易清洗。

MOS传感器是一种“宽带”检测器，它们会对各种不同类型的化合 CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元.相对于其他逻辑系列,CMOS逻辑电路具有一下优点: 1.允许的电源电压范围宽,方便电源电路的设计 2.逻辑摆幅大,使电路抗干扰能力强 3.静态功耗低 4.隔离栅结构使CMOS期间的输入电阻极大,从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多 .

CMOS是主板上一块可读写的RAM芯片，用于保存当前系统的硬件配置信息和用户设定的某些参数。CMOSRAM由主板上的电池供电，即使系统掉电信息也不会丢失。对CMOS中各项参数的设定和更新可通过开机时特定的按键实现（一般是Del键）。进入BIOS设置程序可对CMOS进行设置。一般CMOS设置习惯上也被叫做BIOS设置。

六、数字电路如何判断TTL门电路和CMOS门电路的输出逻辑状态？

(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。

CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。用TTL电平他们就可以兼容 (二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成 COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差 CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门） CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。功耗 TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。

七、cmos和ttl分别为什么极性门电路？

CMOS是场效应管构成单极性电路，TTL为双极晶体管构成双极性电路。TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。

八、CMOS电路与门电路的区别？

CMOS电路是电路中构成电子元件的性质，门电路是电路的形式。门电路可以有CMOS电路构成，也可以有非CMOS电路构成。

九、ttl电路和cmos电路的区别？

TTL与CMOS电路的区别

TTL：双极型器件，一般电源电压 5V，速度快（数ns），功耗大（mA级），负载力大，不用端多数不用处理。

CMOS：单级器件，一般电源电压 15V，速度慢（几百ns），功耗低，省电（uA级），负载力小，不用端必须处理。

CMOS 和 TTL 电平的主要区别在于输入转换电平。

CMOS：它的转换电平是电源电压的 1/2，因为 CMOS 的输入时互补的，保证了转换电平是电源电压的 1/2。

TTL：由于它的输入多射击晶体管的结构，决定了转换电平是 2 倍的 PN 结正向压降，大约为 1.4V。TTL 电源只有 5V的，而且输入电流的方向是向外的！

CMOS 电路应用最广，具有输入阻抗高、扇出能力强、电源电压宽、静态功耗低、抗干扰能力强、温度稳定性好等特点，但多数工作速度低于 TTL 电路。

如果是 TTL 驱动 CMOS，要考虑电平的接口。TTL 可直接驱动 74HCT 型的 CMOS，其余必须考虑逻辑电平的转换问题。

如果是 CMOS 驱动 TTL，要考虑驱动电流不能太低。74HC/74HCT 型 CMOS 可直接驱动 74/74LS 型 TTL，除此需要电平转换。

由于 CMOS 的输入阻抗都比较大，一般比较容易捕捉到干扰脉冲，所以 NC 的脚尽量要接个上拉电阻，而且 CMOS 具有电流闩锁效应，容易烧掉 IC，所以输入端的电流尽量不要太大，最好加限流电阻。

CMOS :H 5V L 0V,TTL H:4.3V左右,L 0.4V ;

TTL 双极器件、电源电压5V、速度快数ns、功耗大mA级、负载力大，负载以mA计，不用端多半可不做处理。

CMOS 单级器件、电源电压可到15V、速度慢几百nS，功耗低省电uA级、负载力小以容性负载计，不用端必须处理。

设计便携式和电池供电的设备多用CMOS芯片，对速度要求较高的最好选用TTL中的74SXXX系列。

通常用74HCXXX系列的可兼顾速度和功耗。是一种改进型的CMOS技术。

CMOS 和 TTL 电平的主要区别是输入转换电平. CMOS 的转换电平是电源电压的 1/2, 从 4000 系列的电源电压最高可达 18V, 到 74HC 的 5V, 以至 3.3V 和将来的 2.5V, 1.8V, 0.8V 等等. 这是因为 CMOS 的输入是互补的, 保证转换电平是电源电压的 1/2. TTL 由于其输入多射极晶体管的结构所决定, 转换电平是 2 倍的 PN 结正向压降, 大约是 1.4V 左右. TTL 电源只有 5V 的, 而且输入的电流方向是向外的.

十、CMOS电路和TTL电路的区别？

功耗 TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。

速度 通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。

电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。

门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。

将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。

CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。