多大的基极电流可使8050完全饱和？
一、多大的基极电流可使8050完全饱和？
因为不同的80503极管它的放大倍数有一定的差异，所以不同的管子是8050完全饱和基极所输入的电流是不一样的，放大倍数大的管子基极的输入电流在几毫安就能让8050饱和，而放大倍数低的管子基极需要输入十毫安左右的电流还能达到饱和。
二、三极管基极饱和电流是什么？
三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定，即使电源电压不变，如果集电极电阻改变，饱和电流也会改变，当集电极电阻增大时，三极管的饱和电流减小，当集电极电阻减小时，三极管的饱和电流增大。
晶体三极管工作在饱和状态时，它的Ic只与集电极电源电压和集电极电阻、发射极电阻有关，和基极电流无关。
三、三极管饱和的基极电流怎么计算？
首先确定集电极饱和电流Ics，忽略集电极饱和压降，Ics=Vcc/RL，三极管电流放大系数取较低值即可，如HFE=50左右。则饱和状态时的基极电流应大于Ib=Ics/HFE，一般取2倍Ib。上述方法适宜于深度饱和电路，一般用于控制电路及低速开关电路。
四、bjt的基极电流很大是不是最后一定会饱和？
不一定，必须集电极-发射极之间电压很小才是饱和。 基极电流很大会造成集电极电流很大，如果存在集电极电阻，才能够造成电阻上电压降增大，留给晶体管的电压很小——饱和。如果电路不存在集电极电阻（是线圈、变压器什么的），这个电流—电压转化环节就缺失，即使电流达到烧管也不会饱和。
五、没有基极电阻会没有基极电流嘛？
没有基极电阻就不会有基极电流的。
因为基极电阻是为发射结提供正偏电压的，也是为基极电流提供通路的，被称为基极偏流电阻。
如果没有基极电阻，首先发射结处于零偏置而截止，发射区多数载流子因结电场力阻止，无法到达基区，无法形成基极电流。
所以，没有基极电阻就没有基极电流。
六、共基极电流增益系数？
1.三极管的放大状态要满足的条件是发射结正偏,集电结反偏,不管哪种接法,发射结两端必须加输入电压,否则,信号加不到放大器的输入端也就无从放大了,也就是说,输入电流流进管子的时候要么是基极流进要么是发射结流进(注意,此时管子处于放大状态,输入电流时在原有基极电流或发射极电流的基础上微变!)
2.在三极管的共基极接法里面,基极是输入端和输出端的公共端,此时,发射极是作为独立输入电极在使用,外加信号电流由发射极流入,剩下的独立输出电极就是集电极,输出电流由集电极流出。
3.按照电流放大倍数的定义,Ai=Io/Ii 在共基极电路中,Io就是集电极电流,Ii就是发射极电流,所以 共基极电流放大系数α=ic/ie ic=βib,ie=ib+ic=(1+β)ib则 α=β/1+β。
七、ibq为什么是基极电流？
IBQ为静态三极管基极B的电流；
ICQ为集电极的电流；
UCEQ就是集电极和发射极这间的电位差，也就是UCE。
UCE是ce之间的电压，uceq是静态工作点时的电压（就是横轴ues，纵轴ic那个图上交点q对应的电压）。
半导体三极管(Bipolar Junction Transistor)，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关
八、8050基极可承受多大电流？
8050基极可承受最大电流小于2.5ma。
九、饱和状态下如何计算电流？
什么是饱和状态？
在讨论饱和状态下如何计算电流之前，我们首先需要了解饱和状态的概念。在电子学中，饱和状态指的是晶体管或其他类型的电子器件中，当输入信号的幅度超过某个特定值时，输出信号不再随输入信号的变化而变化。换句话说，当晶体管处于饱和状态时，其输出电流不再受到控制电流的影响。
如何计算饱和状态下的电流？
饱和状态下的电流计算主要涉及到晶体管的饱和电流和输出电流的关系。在晶体管的数据手册中，通常会提供饱和电流（或称为饱和电流上限）的数值。
当一个晶体管处于饱和状态时，可以假设其输出电流等于饱和电流的数值。然而，这个假设并不完全准确，因为实际情况中还会有一些因素的影响，比如温度和晶体管的工作条件等。
要计算饱和状态下的电流，我们可以按照以下步骤进行操作：
- 根据晶体管的数据手册，找到饱和电流的数值。
- 确定晶体管所处的工作条件，包括输入电压和电流。
- 根据饱和电流和工作条件，使用晶体管的特性曲线或饱和电流公式进行计算，得到饱和状态下的电流。
需要注意的是，计算饱和状态下的电流是基于理论模型和理想条件进行的近似计算。在实际应用中，还需要考虑到实际电路中的各种因素，比如电源电压、负载电阻等，以确保电路的正常工作。
总结
饱和状态下的电流计算是电子学中的重要内容，对于理解晶体管等电子器件的工作原理和性能具有重要意义。通过计算饱和状态下的电流，我们可以更好地设计和优化电子电路，并确保其能够正常工作。
感谢您阅读本文，希望通过本文能够帮助您更好地理解饱和状态下如何计算电流。
十、掌握技巧，让MOS饱和电流提升
什么是MOS饱和电流
MOS（金属-氧化物-半导体）是一种常见的场效应晶体管，在电子设备中有广泛应用。饱和电流是指MOS的工作状态，当输入电压大于一定阈值时，MOS处于饱和状态，此时电流稳定且最大。
为什么要提高MOS饱和电流
MOS饱和电流的提高可以显著改善器件的性能。通过增加电流，可以增加MOS的响应速度、提高开关能力和减小开关时延。同时，饱和电流的提高还可以降低电路的功耗。
如何提高MOS饱和电流
以下是几种常用的提高MOS饱和电流的方法：
- 增加驱动电压：正确的设计驱动电路可以使得输入电压达到MOS的饱和阈值，从而提高饱和电流。
- 优化栅极结构：合理设计MOS的栅极结构，如增加栅极宽度、减小栅极-漏极间距等，可以增加电流流动的通道面积，从而提高饱和电流。
- 选择适当的材料：选择低电阻率的材料作为MOS导体，如多晶硅等，可以减小电流阻抗，提高饱和电流。
- 改变工作温度：高温环境下，电子迁移率会增加，导致电流增大。合理调整工作温度可以提高MOS的饱和电流。
注意事项
在提高MOS饱和电流时，需要注意以下几点：
- 电路布局：合理的电路布局可以减小线路电阻，提高电流流动效率。
- 温度控制：在进行MOS饱和电流测试时，需要注意合适的温度控制，以确保实验结果准确可靠。
- 电源电压：适当调整电源电压可以影响MOS的工作状态，从而改变饱和电流。
结论
通过合理设计驱动电路、优化栅极结构、选择适当材料和调整工作温度等方法，我们可以有效提高MOS的饱和电流，从而改善器件性能，提高电流响应速度和开关能力，并降低功耗。
感谢您阅读本文，相信通过本文的指导，您可以更好的掌握技巧，提高MOS饱和电流，为您在电子设备领域中的工作和学习带来帮助。
