pn结加反向电流时的电流称为？
一、pn结加反向电流时的电流称为？
加正向电压时，是多数载流子。加反向电压时，是少数载流子，称为反向电流。
这时通过PN结的电流,主要是少子形成的漂移电流,称为反向电流IR。由于在常温下,少数载流子的数量不多,故反向电流很小。PN结反向偏置时，PN结变宽；多子的扩散运动减弱，少子漂移运动加强;PN呈截止状态。
二、pn结反向电压内部电流关系？
给PN结加正向电压时，pn结变薄，可以有正向电流通过，此时电压降为0.65伏特左右（硅管）。给PN结加反向电压时，pn结变厚，仅有极微量的电流（漏电流）通过。此时为反向阻断状态，当反向电压加到足够大，pn结被击穿，pn结就变为一个纯导体了。
光伏电池也是如此。
三、pn结反向饱和电流公式推导？
二极管的反向饱和电流Is受温度影响，工程上一般用式 Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10] 近似估算，式中t0为参考温度。上式表明温度每升高10℃时，Is(即本征激发的载流子浓度值ni)增大一倍。
四、pn结反向电压？
应该是pn结反向裁止
PN结一边是P区，一边是N区，只有P区电位高于N区电位，它才会通，而且有P到N导通，反过来，N电位高于P区，不会导通，称为反向截止。
在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。
N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。
因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。
P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。
当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下,载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽,,耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。
五、pn结反向接法？
它的接法与正向相反，即P区接电源的负极，N区接电源的正极。此时的外加电压形成电场的方向与自建场的方向相同，从而使阻挡层变宽，漂移作用大于扩散作用，少数载流子在电场的作用下，形成漂移电流，它的方向与正向电压的方向相反，所以又称为反向电流。因反向电流是少数载流子形成，故反向电流很小，即使反向电压再增加，少数载流子也不会增加，反向电压也不会增加，因此它又被称为反向饱和电流。即：ID=-IS
此时，PN结处于截止状态，呈现的电阻为反向电阻，而且阻值很高。
六、pn结反向截止的原理？
PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成。在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。
当对pn结外加反向电压时，就相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和），pn结处于截止状态，
七、pn结加反向电压时的电流称为什么？
称为反向饱和电流。pn结加反向电压时，外部电场的方向与内部电场的方向一致，pn结变厚，内部电场对半导体多子的扩散运动抑制加强，但对少子的漂移运动助力提高，pn结在内部电场和外部电场的双重作用下，按道理讲反向电流会随着外部电场的加强而增加，但实际上由于少子的数量太少了，所以反向电流不再增加，故称饱和。
八、pn结最大电流？
二极管的最大电流参数相关的主要有：最大整流电流IF，是指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关；正向峰值电流（正向最大电流）IFM（IM），是在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流；反向峰值电流IRM；反向不重复峰值电流IRSM；最大稳压电流IZM，仅适用于稳压二极管。
二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。
九、pn结电流分类？
扩散，漂移，产生复合，遂穿，陷阱辅助遂穿。反向饱和电流有扩散和漂移。体漏电流有产生复合，遂穿，陷阱辅助遂穿。表面漏电流有表面产生复合，表面遂穿，表面沟道电流。
PN结
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
十、PN结的正向电流运动和反向电流是什么运动的结果？
正向电流：多数载流子定向运动的结果。反向电流：少数载流子定向运动的结果。
