mosfet漏极电流特性？

一、mosfet漏极电流特性？

理论上，功率MOSFET是单极型器件，N沟道的功率MOSFET，只有电子电流，没有空穴电流，但是，这只是针对完全导通的时候；在线性区，还是会同时存在电子和空穴二种电流,完全导通区和线性区工作时，电势、空穴和电流线分布图。

从电势分布图，功率MOSFET完全导通时，VDS的压降低，耗尽层完全消失；功率MOSFET在线性区工作时，VDS的电压比较高，耗尽层仍然存在，此时由于在EPI耗尽层产生电子-空穴对，空穴也会产生电流，参入电流的导通。

二、什么是漏极电流？

顾名思义，就是漏电产生的电流。以单相电路为例，正常情况下，零线和火线是电路中唯一的通路，此时电路中的电流，与用电器有关，比如10A。

如果电路中发生了漏电，则零线——火线就不是唯一回路了。

比如火线上发生了漏电，就形成了火线——大地的回路，比如这个回路产生的电流为0.5A。那么，此时零线上的电流依然是10A，而火线上的电流为火线——零线和火线——大地两个回路上的电流之和，就是10+0.5=10.5A。这里的0.5A就是漏电电流的大小。

三、什么情况源极电流等于漏极电流？

当电路出现场效应管情况的时源极电流等于漏极电流。场效应管是电压控制型，输入电阻很高，可以达到亿欧或兆亿欧的数量级，所以说其栅极电流数量级很小，基本为零。

在场效应管漏源导通时，其漏极电流和源极电流可以说是相等的，源极电流等于漏极电流。

四、漏极电流过大会有什么影响？

变压器的漏电流最主要是由于漏磁通通过铁芯时形成的，在二次绕组上形成漏抗压降，它对变压器的正常工作是有害的。造成变压器的附加损耗的增加，使变压器发热，漏抗压降增大，输送功率下降。

五、数字集成电路漏极电流的计算？

检测漏极接地总电阻两端的电压，用电压值除以总电阻便得到漏极电流

六、低频跨导和漏极电流有什么关系?

低频跨导和漏极电流的关系

与漏极变化的电流和栅源电压有关，电流越大跨导越大，电压越小，跨导越大。

低频跨导gm 是在VDS为某一固定数值的条件下,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。

在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。

七、n沟道结型场效应管的漏极电流由？

场效应管的漏极电流是由多子自由电子和少子空穴的漂移运动形成。

结型场效应晶体管是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极d，源极s。

八、场效应管漏极电流(直流)ID，是什么条件下的电流？

看这个ID在什么场合下说了，静态ID是指没信号输入时的D极电流，最大ID是指最大不失真电流。说明书上的ID是说处于开关状态时的最大电流。

九、为什么nmos电流为漏极到源极？

n型的mos管的n是英文negative的缩写。nmos靠电子导电，低电压的一端是电子的源泉，电子从源级流向漏极。

十、nmos漏极和源极电流一样吗？

一、指代不同 1、源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。 2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。   二、原理不同 1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。 2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。