n mos和p mos的工作原理？

电机 2025-02-16 16:04

一、n mos和p mos的工作原理？

（一）PMOS工作原理

P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路（见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路）出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是，因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

（二）NMOS工作原理

vGS对iD及沟道的控制作用

① vGS=0 的情况

增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。

② vGS>0 的情况

若vGS>0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。

排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子：将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。

二、无刷电机驱动用哪种mos？

三相驱动桥

无刷电机的三相全桥驱动电路，使用六个N沟道的MOSFET管（Q1~Q6）做功率输出元件，工作时输出电流可达数十安。为便于描述，该电路有以下默认约定：Q1/Q2/a3称做驱动桥的“上臂”，Q4/Q5/Q6称做“下臂”。

连接到二极管和电容组成的倍压整流电路（原理请自行分析），为上臂驱动管提供两倍于电源电压（2×11V）的上拉电平，使上臂MOSFET在工作时有足够高的VGS压差，降低MOSFET大电流输出时的导通内阻，详细数据可参考MoS管DataSheet。

上臂MOS管的G极分别由Q7/a8/a9驱动，在工作时只起到导通换相的作用。下臂MoS由MCU的PWM输出口直接驱动，注意所选用的MCU管脚要有推挽输出特性

三、n mos和p mos的区别和接线？

1. n mos和p mos是CMOS电路中的两种晶体管类型，其区别主要在于控制电压的极性不同。n mos的控制电压为正值，在导电时需要提供正向电压，而p mos的控制电压为负值，在导电时需要提供负向电压。2. 在CMOS电路中，n mos和p mos常常是相互配对使用的。n mos与p mos的接线方式为并联式，n mos输出端接上拉电阻，p mos输出端接下拉电阻，两者中间连接上电路的负载即可。由于CMOS电路本身具有低功耗、高噪声抑制、信号传输能力强等优势，因此在数字电路设计中被广泛应用。

四、用P型MOS管驱动负载好还是N型MOS管？

N-MOSFET好，N型半导体的载流子迁移率差不多是同型P沟道的3倍，这就意味着其导电能力更强。

市面上，绝大部分都是增强型N-MOSFET，P沟道不仅贵而且也相对难找，从应用的角度也是，N沟道正电压就可以导通，P沟道还得用负电压，太麻烦了。你的电流是12A，可以用6个MOSFET并联来实现，可以考虑IRFP150，IRFP250这类，你可以查一下参数，主要还跟你的电压有关系。如果不差钱的话，还是直接买一个控制器好，比较方便。

五、MOS管怎么分辨N沟道还是P沟道？

指针表判断N-P沟方法（10K档）：N沟MOS管：红表笔接（D），黑表笔接（S），指针满偏。

P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。数字表判断N-P沟方法(二极管档)：N沟MOS管：黑表笔接（D），红表笔接（S），显示500左右数字。

P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。备注：D就是外壳。

六、如何判断mos管是p沟还是n？

1、MOS的三个极怎么判定：

MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方。

G极，不用说比较好认。

S极，不论是P沟道还是N沟道，

两根线相交的就是；

D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。

2、他们是N沟道还是P沟道？

三个脚的极性判断完后，接下就该判断是P沟道还是N沟道了：

当然也可以先判断沟道类型，再判断三个脚极性。

先判断是什么沟道，再判断三个脚极性。

3、寄生二极管的方向如何判定？

接下来，是寄生二极管的方向判断：

它的判断规则就是：

N沟道，由S极指向D极；

P沟道，由D极指向S极。

4、简单的判断方法

上面方法不太好记，

一个简单的识别方法是：（想像DS边的三节断续线是连通的）

不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都由D指向S。

七、P沟道与N沟道mos管区别？

1、芯片材质不同

虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道；P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。具体原理可以参考一些教科书，属于工艺方面的问题。

2、同等参数P沟道MOS管价格更高

（1）N沟道MOS管芯片成本低于P沟道。

N沟道MOS管通过电子形成电流沟道，当MOS管被激活和导通时，电子通过电流移动，速度较P沟道MOS管速度快。在相同的RDS(on)情况下，载流子的迁移率约为P沟道MOS管的2到3倍，而要实现相同的电流，P沟道芯片尺寸就要设计成N沟道MOS管的2到3倍大。因此从制造成本上，N沟道MOS管就要低于P沟道MOS管。因此，大电流应用通常首选N沟道的MOS管。

例如，快捷芯的N沟道MOS管，KJ400N03D7，采用TO263-7封装，实现业内最低内阻，RDS(ON)仅0.28mΩ，但可实现ID=400A的大电流。

（2）量产规模上N沟道成本更低。

由于N沟道MOS管的优势，使得它作为首选，能够大规模产出和应用，大规模量产后产品的价格更具优势。

（3）价格竞争更激烈。

N沟道MOS管型号参数，发展比较充分，各家品牌竞争激烈，价格也更透明。

（4）P沟道存在的意义

既生N何生P？P沟道MOS管为何还存在？

P沟道MOS管是用空穴流作为载流子，其迁移率小于N沟道MOS管中的电子流。P沟道MOS管需要从栅极到源极的负电压(VGS)才能导通，而N沟道MOS管则需要正VGS电压。使得P沟道MOS管成为高边开关的理想器件。有助简化电路设计、减少体积，实现低压驱动。由于它能够简化栅极驱动技术，在一些使用场景中，对于整体成本而言，反而起到降低成本的效果。

所有P沟道产品虽贵，但能简化电路设计，有益于实现功能且整体降低成本。

3、应用不同

N管:当一个MOS管接地，负载连接到干线电压上时，这个MOS管就构成低压侧开关。这时就要采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

P管:当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。这就要采用P沟道MOS管，这是考虑到电压驱动的原因。

4、使用时识别标示不同

实际应用时，MOS管包括：N管、P管、双N管、双P管、N+P管。

识别方法包括：

（1）型号末尾数字奇偶不同。型号末尾数字，一般奇数是P管，偶数是N管，例如常见的2300为N管，2301为P管，4406为N管，4407为P管。

（2）规格书的标题，一般有写N-Channel、P-Channel等。

（3）电气符号的箭头方向不同，N管箭头指向栅极，P管相反，如果有多个栅极数量则需要注意看每个箭头的方向。

（4）规格书的VDS正负不同，正数为N或双N，负数为P或双P，一正一负为N+P

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八、N沟道、P沟道MOS管的区别？