晶体管，单极型晶体管，双极型晶体管什么关系？

一、晶体管，单极型晶体管，双极型晶体管什么关系？

双极性晶体管(BJT,Bipolar Junction Transistor)：又称晶体三极管、半导体三极管等，简称三极管。有两种不同极性的载流子（电子与空穴）同时参与导电，故称为双极型晶体管。根据材料的不同可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型场效应管IGFET(Insulated Gate FET) 。

单极性晶体管：只有一种极性的多数载流子（电子或空穴）参与导电，故称为单极型晶体管，如场效晶体管等。根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。

硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。

二、双极型晶体管的特点？

输入特性曲线：描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为： 硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。

输出特性曲线：描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为： 双极型晶体管输出特性可分为三个区 ★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。★饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。★放大区：发射结正偏，集电结反偏。放大区的特点是： ◆IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。◆伏安特性最低的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。◆在放大区电流电压关系为：UCE=EC-ICRC, IC=βIB ◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。极间反向电流：是少数载流子漂移运动的结果。集电极－基极反向饱和电流ICBO ：是集电结的反向电流。集电极－发射极反向饱和电流ICEO ：它是穿透电流。ICEO与CBO的关系： 特征频率 ：由于晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数会随工作频率的升高而下降，当 的数值下降到1时的信号频率称为特征频率 。双极型晶体管极限参数 ★最大集电极耗散功率 如图所示。★最大集电极电流 :使b下降到正常值的1/2～2/3时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。★极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时，击穿电压要下降。

三、NPN型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是（ ）？

三极管处于放大状态时有个必要的偏置条件，即发射结正偏，集电结反偏，对应于NPN三极管这一偏置要求也可以描述为Uc>Ub>Ue，据此导出

Uce=Uc-Ue

Ube=Ub-Ue

由于Uc>Ub，所以Uce>Ube。

四、单极型和双极型晶体管的区别？

  两者主要区别是名称不同，机构制程不同，工作原理不同

 1、从名称上看，双极型晶体管全称为双极性结型晶体管，俗称三极管，而单极型晶体管叫做场景效应管，简称FET，有所区别。

 2、从结构制程上看，双极型晶体管是由三部分掺杂程度不同的半导体制成，而单极型号晶体管的典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区。

 3、从工作原理上看，双极型晶体管有两种载流子参与导电，而单极型晶体管工作时候只有一种载流子参与导电。

五、二极管是双极型晶体管？

是！两个极结p一N引出二个管脚的晶体管，因半导体材料不同，用途不尽相同。有整流二极管，稳压管，发光管，光敏管，热敏管等等种类繁多，有微电小功率管，有大功率管，用途广范，大到一人多高，小到以微米计，型状各异，我们常用的手机里就有无数个二报管。

六、双极型晶体管的定义是什么？

双极型晶体管就是三极管，最简单的区分就是： 三个极是使用：集电极、基极、发射极来称呼的都是双极型晶体管。 因为单极型管（场效应管）不使用这样的称呼（使用：源极、栅极、漏极来称呼）

七、双极型晶体管是三极管吗？

双极型晶体管就是三极管，最简单的区分就是：三个极是使用：集电极、基极、发射极来称呼的都是双极型晶体管。因为单极型管（场效应管）不使用这样的称呼（使用：源极、栅极、漏极来称呼）

八、双极型晶体管与三极管的区别？

双极型晶体管就是三极管。

双极性晶体管，全称双极性结型晶体管，俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。

这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载子电晶体。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成

九、p型晶体管参考电压？

PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。

MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。

十、场效应管与双极型晶体管有哪些不同？

场效应管与双极性晶体管的比较

1. 场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，丢信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。

2. 场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。

3. 场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。

4. 场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。