雪崩击穿的特点？
一、雪崩击穿的特点？
雪崩二极管是一种负阻器件，特点是输出功率大，但噪声也很大。
二、击穿电压和耐压值的区别？
耐压值：电容不被击穿所能承受的最大电压，一到超过耐压值电容就会损坏。（在进行测试的时候会提供耐压值标定的电压，但是不会进行很长时间以防止长时间高压损坏电容。）
额定电压：保持电容长期稳定工作的标准电压。（工作中的电容最好和这个值相等，超过则会损伤电容器）
击穿电压：达到这个值，电容器就会损坏。（肯定高于最高工作电压，是能损坏电容器的最低电压。）
电容器上标的电压：额定电压
电容器：通常简称其容纳电荷的本领为电容。“装电的容器”电容器种类很多，用途广泛。
三、雪崩击穿和隧道击穿的特征和发生条件？
雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大，导致击穿。
齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂志，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。
热击穿：加在PN结两端的电压和流过PN结电流的乘积大于PN结允许的耗散功率，PN结会因为热量散发不出去而被烧毁。
热击穿与电击穿的不同：电击穿可逆，而热击穿不可逆。
四、雪崩击穿稳压二极管与齐纳击穿稳压二极管在电流上有什么的区别？
一般来说，发生雪崩击穿，二极管就报废，齐纳区是工作状态，能够恢复；实际上我觉得雪崩要高电压，齐纳电压低。
五、雪崩击穿和齐纳击穿的特点是什么？
雪崩击穿和齐纳击穿的特点：
1、齐纳击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场，而在碰撞电离机构中既与场强大小有关，也与载流子的碰撞累积过程有关。显然空间电荷区愈宽，倍增次数愈多，因此雪崩击穿除与电场有关外，还与空间电荷区的宽度有关，它要求PN结厚。
2、因为雪崩击穿是碰撞电离的结果。如果我们以光照或是快速粒子轰击等办法，增加空间电荷区中的电子和空穴，它们同样会有倍增效应。而上述外界作用对齐纳击穿则不会有明显影响。
3、由隧道效应决定的击穿电压，其温度系数是负的，即击穿电压随温度升高而减小，这是由于温度升高禁带宽度减小的结果。而由雪崩倍增决定的击穿电压，由于碰撞电离率(电离率表示一个载流子在电场作用下漂移单位距离所产生的电子空穴对数目)随温度升高而减小，其温度系数是正的，即击穿电压随温度升高而增加。
4、对于掺杂浓度较高势垒较薄的PN结，主要是齐纳击穿。掺杂较低因而势垒较宽的PN结，主要是雪崩击穿，而且击穿电压比较高。
六、电容的耐压值，额定电压，击穿电压之间有什么，不同？
瓷片电容耐压值一般是指电容两极之间可以承受的电压的最大值耐压值一般只有测试时才会达到，用于测试瓷片电容质量即使在测试时，耐压值也是保持一个很短的时间如果长时间进行耐压测试，就会损坏瓷片电容瓷片电容额定电压是指电容器运行的电压范围是保障电容长期稳定工作的标准电压，使用中电容两端施加电压不能超过这个值最好是与这个值相等这样才可以保证电容正常工作瓷片电容击穿电压是指电容两极之间可以破坏的最小电压通俗解释：耐压值=最高电压；额定电压=工作电压；击穿电压=破坏电压我们也可以把耐压值和击穿电压理解是一个意思，当加在瓷片电容上的电压超过耐压值的时候，瓷片电容会被击穿
七、nmos的击穿电压？
然而在不需要很高的电压的情况下，使用大面的LDMOS对项目的成本增加很多。
例如在非易失存储器中的MOS管承受的电压1V左右，而一般0.13um工艺下NMOS管的击穿电压大约为10V，因此电路设计需要击穿电压能够达到12V以上的MOS管，小幅度提高MOS管的击穿电压，增强电路的可靠性。
八、陶瓷的击穿电压？
95瓷属氧化铝陶瓷，氧化铝含量约96％，主晶相为刚玉（α—Al2O3），tgδ约0.0003，热膨胀系数 α约 6.7×10^(-6)／K，热导率λ 31.77 W／m•K击穿电压（MV／m）14材料击穿电压的测试，要做材料试样，用专门的设备测量，对于产品，一般会在产品标准中规定介电强度的下限和测试方法，一般用工频介电强度测试设备。
九、电阻的击穿电压？
所谓电阻的击穿电压是电阻额定耐压值。
通常电阻根据尺寸都有耐压值和功率。一般普通只要不加超过额定耐压值，是不会发生击穿的，常见是开路，但过压后会发生电弧击穿。实际电阻发生击穿的是合成电阻，这种电阻主体是一些混合物，主要优点是功率大、成本低。此电阻长期发热后，电阻值会变小，但电阻两端的电源功率和电压又比较大，造成电阻更热，阻值更小。这是热击穿，但电阻击穿后值并不为零，只是变的比原来小很多。
十、eva的击穿电压？
21mv。eva是一种新式的环保无卤阻燃型套管，又叫eva热缩管。能为电线、电缆和电线端子提供绝缘保护，其击穿电压为21mv。广泛应用于线束、焊点、电感的绝缘保护和金属管、棒的防锈、防蚀等。具有低温收缩、柔软阻燃、绝缘防蚀功能。eva所用材料在室温下是玻璃态，加热后变成高弹态。
推荐阅读
