P沟道大电流MOS管有什么型号？

一、P沟道大电流MOS管有什么型号？

海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。

二、MOS管电流噪音？

应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的，但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的，amd耗电量较大，电流也大，所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。

试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况，可能有帮助。

三、mos电流的温度特性？

在MOS器件的特性方程及主要参数中，几乎都和导电因子κ及阈电压VT有关，而这两个参数都是随着温度而变化的，因此，温度的变化就直接影响着MOS器件和MOS电路的工作性能及其可靠性。

所以在电路设计时，必须把器件的参数随温度变化的因素考虑进去。

四、mos管的电流特性？

MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。

电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

电流流向：由漏极d流向源极s。

沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。

MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。

P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。

五、mos电流密度公式？

电流密度的公式是：J=I/A，其中， I是电流，J 是电流密度，A 是截面矢量。电流密度是一种度量，以矢量的形式定义其方向是电流的方向，其大小是单位截面面积的电流。采用国际单位制，电流密度的单位是“安培／平方米”，记作A/㎡。

拓展资料：

电流产生条件：有大量可移动的自由电荷，有电场力的作用，构成回路，大量电荷作定向运动形成电流。若E内≠0时，电荷在电场作用下发生宏观定向移动。

电流方向的规定：正电荷移动的方向。 负电荷移动方向与电流方向相反。

电流强度是描述描写电流强弱的物理量，是单位时间内流过导体截面的电量 。

电流密度是描写电流分布的物理量。

导体中任意一点的电流密度J的方向为该点正电荷的运动方向；J 的大小等于在单位时间内，通过该点附近垂直于正电荷运动方向的单位面积的电荷。

金属导体中的电流 I 和电流密度 j 均与自由电子数密度 n 和自由电子的漂移速率 v 成正比。

六、mos沟道电流的形成？

由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。

n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

七、mos管最大允许电流？

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。

该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。

脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。

八、mos电流镜工作原理？

相同晶体管具有相同的W/L和工艺技术常数。在简单电流镜中，两个晶体管具有相同的VGS。因此，两个晶体管将有相同的ID。由于没有电流流入，FET的栅极端子IIN = IOUT。

九、mos管最大允许电流和实际电流？

MOS管最大允许电流和实际电流不同。 MOS管最大允许电流取决于其封装和散热，一般可以从数据手册中查找到。在设计电路时应该根据电路的额定电流和工作条件选择合适的MOS管进行设计。 实际电流则是指目前通过MOS管的电流大小，这个值受到电路负载和驱动信号等因素的影响。在电路实际工作时，需要保证MOS管的实际电流不会超过其最大允许电流，否则会导致MOS管烧坏。因此，在电路设计和使用过程中，需要注意MOS管最大允许电流和实际电流的匹配，避免MOS管受到过载等因素的损坏。

十、mos管驱动电流怎么计算？

第一种、

可以使用如下公式估算，

Ig=Qg/Ton

其中，

Ton=t3—t0≈td(on、 +tr t d。on， ， MOS导通延迟时间。从有驶入电压上升到10，开始到VDS下降到其幅值90、的时间.

Tr:上升时间.输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间

Qg=(CEI) 。VGS。或Qg=Qgs+Qgd+Qod ，可在datasheet中找到)

第二种、 。第一种的变形，

密勒效应时间(开关时间、 Ton/off=Qgd/Ig、

Ig=[Vb—Vgs(th， ]/Rg。

Ig、 MOS栅极驱动电流。 Vb:稳态栅极驱动电压;

第三种，

以IR的IRF640为例。看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线.该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通。密勒效应，假定你希望在0。 2us内使管子开通,估计总时间。先上升然后水平再上升)为0。 4us,由Qg=67nC和0.4us可得。 67nC/0。4us=0. 1675A,当然。这是峰值，仅在管子开通和关短的各0。 2us里有电流,其他时间几乎没有电流、平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢.